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2N7273H4

更新时间: 2024-01-22 01:29:20
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 147K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-257AA

2N7273H4 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.92
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):12 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码:e0
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):50 W
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

2N7273H4 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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