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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BCY |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.09 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-205AF | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N7268 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.132ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 2N7268U | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 2N7268U | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.132ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 2N7269 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2N7269D | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 2N7269U | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| 2N7269UPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 2N726LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, |
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| 2N727 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
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| 2N7270 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-254AA |
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一文AO3400引脚图、参数、产品特性
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