是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.64 | 雪崩能效等级(Eas): | 500 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 200 V | 最大漏极电流 (ID): | 11 A |
最大漏源导通电阻: | 0.52 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-254AA | JESD-30 代码: | R-MSFM-P3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 125 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 44 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 150 ns | 最大开启时间(吨): | 120 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N7237DPBF | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.52ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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2N726 | CENTRAL | Small Signal Transistors |
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2N7261 | MICROSEMI | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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2N7261 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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2N7261PBF | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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2N7261U | MICROSEMI | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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