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2N7236U

更新时间： 2024-02-04 22:09:39

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管脉冲
页数	文件大小	规格书
2页	98K
描述
P-CHANNEL MOSFET

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技术参数
数据手册

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2N7236U 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-267AB	包装说明：	SMD-1, U-PKG-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.29
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	18 A
最大漏源导通电阻：	0.22 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-267AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON

2N7236U 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

P-CHANNEL MOSFET

Qualified per MIL-PRF-19500/595

DEVICES

LEVELS

2N7236 2N7236U

JAN

JANTX

JANTXV

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Drain – Source Voltage

Symbol

V_DS

Value

-100

Unit

Vdc

Gate – Source Voltage

V_GS

± 20

Continuous Drain Current

I_D1

I_D2

P_tl

-18

-11

Adc

T_C= +25°C

T_C= +100°C

T_C= +25°C

Continuous Drain Current

Max. Power Dissipation

125 ⁽¹⁾

Drain to Source On State Resistance

Operating & Storage Temperature

R_ds(on)

0.20 ⁽²⁾

TO-254AA

T_op, T_stg

-55 to +150

°C

Note: (1) Derated Linearly by 1.0 W/°C for T_C> +25°C

(2) V_GS= 10Vdc, I_D= -11A

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

Drain-Source Breakdown Voltage

V_GS= 0V, I_D= 1mAdc

V_(BR)DSS

-100

Vdc

Gate-Source Voltage (Threshold)

_DS≥ V_GS, I_D= -0.25mA

V_DS≥ V_GS, I_D= -0.25mA, T_j= +125°C

_DS≥ V_GS, I_D= -0.25mA, T_j= -55°C

V_GS(th)1

V_GS(th)2

V_GS(th)3

-2.0

-1.0

-4.0

-5.0

Vdc

Gate Current

_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_GS= ±20V, V_DS= 0V, T_j= +125°C

U-PKG (SMD-1)

(TO-267AB)

I_GSS1

I_GSS2

±100

±200

nAdc

Drain Current

V_GS= 0V, V_DS= -80V

I_DSS1

I_DSS2

I_DSS3

-25

-1.0

-0.25

µAdc

mAdc

V_GS= 0V, V_DS= -100V, T_j= +125°C

V_GS= 0V, V_DS= -80V, T_j= +125°C

Static Drain-Source On-State Resistance

V_GS= 10V, I_D= -11A pulsed

r_DS(on)1

r_DS(on)2

0.20

0.22

_GS= -10V, I_D= -18A pulsed

T_j= +125°C

_GS= -10V, I_D= -11A pulsed

r_DS(on)3

V_SD

0.34

-5.0

Diode Forward Voltage

_GS= 0V, I_D= -18A pulsed

Vdc

T4-LDS-0061 Rev. 1 (080989)

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与2N7236U相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N7237	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 11A I(D) \| TO-254AA	获取价格
2N7237DPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.52ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met	获取价格
2N726	CENTRAL	Small Signal Transistors	获取价格
2N7261	MICROSEMI	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2N7261	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2N7261PBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格