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2N7236

更新时间： 2024-01-18 08:19:33

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SENSITRON		晶体晶体管局域网
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3页	64K
描述
HERMETIC POWER MOSFET P-CHANNEL

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2N7236 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-267AB	包装说明：	SMD-1, U-PKG-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.29
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	18 A
最大漏源导通电阻：	0.22 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-267AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON

2N7236 数据手册

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

2N7236

TECHNICAL DATA

DATA SHEET 586, REV -

HERMETIC POWER MOSFET

P-CHANNEL

FEATURES:

-100 Volt, 0.20 Ohm MOSFET

Isolated and Hermetically Sealed

Simple Drive Requirements

Repetitive Avalanche Rating

MAXIMUM RATINGS

ALL RATINGS ARE AT T_A= 25C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.

RATING

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

-18

UNITS

Volts

Amps

GATE TO SOURCE VOLTAGE

CONTINUOUS DRAIN CURRENT V_GS=10V, T_C= 25C

V_GS=10V, T_C= 100C

V_GS

I_D

-11

I_DM

T_OP/T_STG

-55

-72

150

0.83

125

Amps

C/W

Watts

PULSED DRAIN CURRENT

@ T_C= 25C

OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE

TERMAL RESISTANCE JUNCTION TO CASE

TOTAL DEVICE DISSIPATION @ T_C= 25C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE

V_GS= 0V, I_D= 1.0mA

DRAIN TO SOURCE ON STATE RESISTANCE

V_GS= -10V, I_D= -11A

V_GS= -10V, I_D= -18A

GATE THRESHOLD VOLTAGE V_DS= V_GS, I_D= -250mA

FORWARD TRANSCONDUCTANCE

V_DS -15V, I_DS= -11A

P_D

BV_DSS

-100

Volts

R_DS(ON)

0.20

0.22

-4.0

V_GS(th)

g_fs

-2.0

6.2

Volts

S(1/W)

ZERO GATE VOLTAGE DRAIN CURRENT

V_DS= 0.8xMax. Rating, V_GS= 0V

I_DSS

-25

-250

V_DS= 0.8xMax. Rating

V_GS= 0V, T_J= 125C

GATE TO SOURCE LEAKAGE FORWARD

GATE TO SOURCE LEAKAGE REVERSE

@ RATED

V_GS

I_GSS

100

-100

TOTAL GATE CHARGE

GATE TO SOURCE CHARGE

GATE TO DRAIN CHARGE

TURN ON DELAY TIME

RISE TIME

V_GS= 10 VOLTS,

50% RATED V_DS,

RATED I_D

Q_g

Q_gs

Q_gd

t_d(ON)

t_r

t_d(ON)

t_f

3.7

7.0

35.2

V_DD= -50V,

RATED I_D,

nsec

Volts

TURN OFF DELAY TIME

R_G= 9.1W

FALL TIME

V_SD

-4.2

DIODE FORWARD VOLTAGE

T_J= 25C, I_S= 34A,

V_GS= 0V

t_rr

Q_rr

280

3.6

nsec

DIODE REVERSE RECOVERY TIME

REVERSE RECOVERY CHARGE

T_J= 25C,

I_f= RATED I_D,

di/dt = -100A/sec

V_GS= 0 Volts,

V_DS= 25 Volts,

INPUT CAPACITANCE

C_iss

C_oss

C_rss

1400

600

200

OUTPUT CAPACITANCE

REVERSE TRANSFER CAPACITANCE

f = 1 MHz

221 West Industry Court 3 Deer Park, NY 11729-4681 3 (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798

World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-Mail Address - sales@sensitron.com

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