2N7225

更新时间： 2024-01-14 11:58:46

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率场效应晶体管
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2页	97K
描述
N-CHANNEL MOSFET

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2N7225 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.62
雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	27.4 A	最大漏源导通电阻：	0.105 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	R-MSFM-P3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	METAL
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	110 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7225 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

N-CHANNEL MOSFET

Qualified per MIL-PRF-19500/592

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

Gate Charge:

On-State Gate Charge

Gate to Source Charge

Gate to Drain Charge

Q_g(on)

Q_gs

Q_gd

115

V_GS= 10V, I_D= 27.4A

V_DS= 50V

SWITCHING CHARACTERISTICS

Parameters / Test Conditions

Symbol

Max.

Unit

Switching time tests:

Turn-on delay time

Rinse time

Turn-off delay time

Fall time

I_D= 27.4A, V_GS= 10Vdc,

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

190

170

130

Gate drive impedance = 7.5Ω,

V_DD= 100Vdc

di/dt ≤ 100A/µs, V_DD≤ 30V,

I_F= 27.4A

Diode Reverse Recovery Time

t_rr

950

T4-LDS-0048 Rev. 1 (072806)

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