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2N7225

更新时间： 2024-11-24 12:20:03
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 41K
描述
HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL

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2N7225 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-254AA
包装说明：FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.09Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：27.4 A最大漏极电流 (ID)：27.4 A
最大漏源导通电阻：0.105 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-254AAJESD-30 代码：S-XSFM-P3
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：110 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2N7225 数据手册

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SENSITRON  
2N7225  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 271, REV. A  
HERMETIC POWER MOSFET  
N-CHANNEL  
DESCRIPTION: 200 VOLT, 0.105 OHM, 27.4 A MOSFET IN A HERMETIC TO-254 PACKAGE.  
(add suffix S for up-screening to JTX Level – 2N7225S)  
MAXIMUM RATINGS  
ALL RATINGS ARE AT TA = 25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.  
RATING  
GATE TO SOURCE VOLTAGE  
SYMBOL  
MIN.  
-
-
TYP.  
-
-
MAX.  
UNITS  
Volts  
Amps  
VGS  
ID  
±20  
27.4  
17  
CONTINUOUS DRAIN CURRENT VGS=10V, TC = 25°C  
VGS=10V, TC = 100°C  
IDM  
TOP/TSTG  
-
-55  
-
-
-
-
-
110  
150  
0.83  
150  
Amps  
PULSED DRAIN CURRENT  
@ TC = 25°C  
OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE  
TERMAL RESISTANCE JUNCTION TO CASE  
TOTAL DEVICE DISSIPATION @ TC = 25°C  
°C  
°C/W  
Watts  
RθJC  
PD  
-
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE  
BVDSS  
200  
-
-
-
-
Volts  
VGS = 0V, ID = 1.0mA  
DRAIN TO SOURCE ON STATE RESISTANCE  
Ω
VGS = 10V, ID = 17A  
RDS(ON)  
VGS(th)  
gfs  
0.100  
0.105  
4.0  
VGS = 10V, ID = 27.4A  
GATE THRESHOLD VOLTAGE  
VDS = VGS, ID =  
2.0  
9.0  
-
-
-
-
Volts  
S(1/Ω)  
μA  
250μA  
FORWARD TRANSCONDUCTANCE  
VDS ≥ 15V, IDS = 17A  
ZERO GATE VOLTAGE DRAIN CURRENT  
VDS = 0.8xMax. Rating, VGS = 0V  
VDS = 0.8xMax. Rating  
GS = 0V, TJ = 125°C  
GATE TO SOURCE LEAKAGE FORWARD @ RATED  
GATE TO SOURCE LEAKAGE REVERSE VGS  
-
IDSS  
25  
250  
V
IGSS  
-
-
-
100  
-100  
115  
22  
nA  
nC  
TOTAL GATE CHARGE  
GATE TO SOURCE CHARGE  
VDS  
VGS = 10 VOLTS  
50% RATED  
Qg  
Qgs  
Qgd  
55  
8.0  
30  
60  
GATE TO DRAIN CHARGE  
TURN ON DELAY TIME  
RISE TIME  
TURN OFF DELAY TIME  
FALL TIME  
RATED ID  
VDD = 100V  
RATED ID  
RG = 2.35Ω  
td(ON)  
tr  
td(ON)  
tf  
-
-
35  
nsec  
Volts  
190  
170  
130  
VSD  
-
-
-
-
1.9  
DIODE FORWARD VOLTAGE  
27.4A,  
TJ = 25°C, IS =  
VGS = 0V  
TJ = 25°C  
If = RATED ID  
di/dt =  
trr  
Qrr  
950  
9.0  
nsec  
μC  
DIODE REVERSE RECOVERY TIME  
REVERSE RECOVERY CHARGE  
100A/sec  
INPUT CAPACITANCE  
OUTPUT CAPACITANCE  
VGS = 0 VOLTS  
Ciss  
Coss  
-
3500  
700  
-
pF  
V
DS = 25 VOLTS  
• 221 WEST INDUSTRY COURT • DEER PARK, NY 11729-4681 • PHONE (631) 586-7600 • FAX (631) 242-9798 •  
• World Wide Web Site - www.sensitron.com • E-Mail Address - sales@sensitron.com •  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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