是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.82 |
雪崩能效等级(Eas): | 60 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 1.5 A | 最大漏极电流 (ID): | 1.5 A |
最大漏源导通电阻: | 0.4 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 12 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRLM110A | FAIRCHILD |
类似代替 ![]() |
Advanced Power MOSFET |
![]() |
IRFM110A | FAIRCHILD |
功能相似 ![]() |
Advanced Power MOSFET |
![]() |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFM120A | FAIRCHILD |
获取价格 |
IEEE802.3af Compatible |
![]() |
IRFM120AD84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
![]() |
IRFM120AL99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
![]() |
IRFM120AS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
![]() |
IRFM120ATF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
![]() |
IRFM120ATF | ONSEMI |
获取价格 |
100V N沟道A-FET / IRFM120的替代器件 |
![]() |
IRFM120ATF_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
![]() |
IRFM1310ST | SEME-LAB |
获取价格 |
N?CHANNEL POWER MOSFET |
![]() |
IRFM1310ST |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET |
![]() |
|
IRFM140 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET TRANSISTOR |
![]() |