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IRFM120AL99Z

更新时间： 2023-01-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 269K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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IRFM120AL99Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.82雪崩能效等级（Eas）：123 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：2.3 A
最大漏源导通电阻：0.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G4元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：18 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

IRFM120AL99Z 数据手册

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IRFM120A  
Advanced Power MOSFET  
FEATURES  
BVDSS = 100 V  
Avalanche Rugged Technology  
Rugged Gate Oxide Technology  
Lower Input Capacitance  
W
RDS(on) = 0.2  
ID = 2.3 A  
Improved Gate Charge  
Extended Safe Operating Area  
SOT-223  
m
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V  
2
W
Lower RDS(ON) : 0.155 (Typ.)  
1
3
1. Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Value  
Units  
VDSS  
Drain-to-Source Voltage  
V
100  
2.3  
O
Continuous Drain Current (T =25  
)
)
C
A
ID  
A
O
Continuous Drain Current (T =70  
1.84  
18  
C
A
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
Drain Current-Pulsed  
1
A
V
O
+
_
20  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
2
mJ  
A
123  
2.3  
O
1
O
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
mJ  
V/ns  
W
1
0.24  
6.5  
O
3
O
O
*
Total Power Dissipation (T =25  
)
2.4  
C
A
PD  
O
*
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
W/ C  
0.019  
TJ , TSTG  
- 55 to +150  
300  
Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds  
O
C
TL  
Thermal Resistance  
Symbol  
Characteristic  
Junction-to-Ambient  
Typ.  
--  
Max.  
Units  
O
RqJA  
*
52  
/W  
C
q
When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).  
*
Rev. B  
©1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

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