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IRFM110A

更新时间： 2024-11-15 22:51:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 265K
描述
Advanced Power MOSFET

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IRFM110A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：60 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.5 A
最大漏极电流 (ID)：1.5 A最大漏源导通电阻：0.4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFM110A 数据手册

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IRFM110A  
Advanced Power MOSFET  
FEATURES  
BVDSS = 100 V  
Avalanche Rugged Technology  
Rugged Gate Oxide Technology  
Lower Input Capacitance  
W
RDS(on) = 0.4  
ID = 1.5 A  
Improved Gate Charge  
Extended Safe Operating Area  
SOT-223  
m
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V  
2
W
Lower RDS(ON) : 0.289 (Typ.)  
1
3
1. Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Value  
Units  
VDSS  
Drain-to-Source Voltage  
V
100  
1.5  
O
O
C
C
Continuous Drain Current (TA=25  
)
)
ID  
A
Continuous Drain Current (T =70  
1.19  
12  
A
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
1
Drain Current-Pulsed  
A
V
O
+
_
20  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
2
O
mJ  
A
60  
1
1.5  
0.2  
O
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
1
mJ  
V/ns  
W
O
3
Peak Diode Recovery dv/dt  
6.5  
O
O
*
C
Total Power Dissipation (TA=25  
)
2
PD  
O
*
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
W/ C  
0.016  
TJ , TSTG  
- 55 to +150  
300  
Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds  
O
C
TL  
Thermal Resistance  
Symbol  
Characteristic  
Typ.  
--  
Max.  
Units  
O
RqJA  
*
Junction-to-Ambient  
62  
C/  
W
*
When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).  
Rev. B  
©1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

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