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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.25 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 620 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 35 A | 最大漏极电流 (ID)： | 35 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.017 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-254AA | JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 380 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFM064SCX | INFINEON |
获取价格 |
60V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Screening Level TX |
|
| IRFM064U | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-254VAR |
|
| IRFM064UPBF | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IRFM110 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | SOT-223 |
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| IRFM110A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| IRFM110AD84Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFM110AS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFM110ATF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFM120A | FAIRCHILD |
获取价格 |
IEEE802.3af Compatible |
|
| IRFM120AD84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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