5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFM064SCX | INFINEON |
获取价格 |
60V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Screening Level TX |
|
| IRFM064U | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-254VAR |
|
| IRFM064UPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRFM110 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | SOT-223 |
|
| IRFM110A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRFM110AD84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFM110AS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFM110ATF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFM120A | FAIRCHILD |
获取价格 |
IEEE802.3af Compatible |
|
| IRFM120AD84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
