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IRFM064

更新时间： 2024-01-12 16:47:26
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 192K
描述
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)

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IRFM064 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.25Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：620 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：35 A最大漏极电流 (ID)：35 A
最大漏源导通电阻：0.017 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-254AAJESD-30 代码：R-MSFM-P3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：METAL
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：250 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：380 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFM064 数据手册

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PD - 90875A  
IRFM064  
60V, N-CHANNEL  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-254AA)  
HEXFET® MOSFET TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number  
RDS(on)  
ID  
IRFM064  
0.017 Ω  
35A*  
HEXFET® MOSFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The  
efficient geometry design achieves very low on-state re-  
sistance combined with high transconductance. HEXFET  
transistors also feature all of the well-established advan-  
tages of MOSFETs, such as voltage control, very fast switch-  
ing, ease of paralleling and electrical parameter temperature  
stability. They are well-suited for applications such as switch-  
ing power supplies, motor controls, inverters, choppers,  
audio amplifiers, high energy pulse circuits, and virtually  
any application where high reliability is required. The  
HEXFET transistor’s totally isolated package eliminates the  
need for additional isolating material between the device  
and the heatsink. This improves thermal efficiency and  
reduces drain capacitance.  
TO-254AA  
Features:  
n
n
n
n
n
n
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Electrically Isolated  
Dynamic dv/dt Rating  
Light-weight  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 10V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
35*  
35*  
D
GS  
C
A
I
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
380  
DM  
@ T = 25°C  
P
250  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
2.0  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
620  
mJ  
A
AS  
I
—
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
—
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
4.5  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
300 ( 0.063 in.(1.6mm) from case for 10s)  
9.3 (Typical)  
Lead Temperature  
Weight  
*Current is limited by pin diameter  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
1/29/02  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFM064CSCS INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFM064CSCSPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFM064D ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-254VAR
IRFM064SCX INFINEON

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 		60V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Screening Level TX
IRFM064U ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-254VAR
IRFM064UPBF INFINEON

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 		暂无描述
IRFM110 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | SOT-223
IRFM110A FAIRCHILD

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 		Advanced Power MOSFET
IRFM110AD84Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFM110AS62Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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