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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFM054UPBF
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IRFM054UPBF

更新时间： 2024-11-16 13:08:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
7页 192K
描述
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA

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IRFM054UPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.15雪崩能效等级（Eas）：480 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：35 A
最大漏源导通电阻：0.027 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-254AAJESD-30 代码：R-MSFM-P3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：METAL封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：220 A
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFM054UPBF 数据手册

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PD - 90709B  
IRFM054  
60V, N-CHANNEL  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-254AA)  
HEXFET® MOSFET TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number  
RDS(on)  
ID  
IRFM054  
0.027 Ω  
35A*  
HEXFET® MOSFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The  
efficient geometry design achieves very low on-state re-  
sistance combined with high transconductance. HEXFET  
transistors also feature all of the well-established advan-  
tages of MOSFETs, such as voltage control, very fast switch-  
ing, ease of paralleling and electrical parameter temperature  
stability. They are well-suited for applications such as switch-  
ing power supplies, motor controls, inverters, choppers,  
audio amplifiers, high energy pulse circuits, and virtually  
any application where high reliability is required. The  
HEXFET transistor’s totally isolated package eliminates the  
need for additional isolating material between the device  
and the heatsink. This improves thermal efficiency and  
reduces drain capacitance.  
TO-254AA  
Features:  
n
n
n
n
n
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Electrically Isolated  
Dynamic dv/dt Rating  
n Light-weight  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 10V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
35*  
D
GS  
C
A
I
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
35*  
220  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
DM  
@ T = 25°C  
P
150  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
1.2  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
480  
mJ  
A
AS  
I
—
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
—
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
4.5  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
300 ( 0.063 in.(1.6mm) from case for 10s)  
9.3 (Typical)  
Lead Temperature  
Weight  
*Current is limited by pin diameter  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
1/30/02  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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