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IRFM014A

更新时间： 2024-01-10 22:07:21
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
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7页 260K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | SOT-223

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IRFM014A 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.88Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：67 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.8 A最大漏极电流 (ID)：2.8 A
最大漏源导通电阻：0.14 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.1 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：22 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFM014A 数据手册

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IRFM014A  
Advanced Power MOSFET  
FEATURES  
BVDSS = 60 V  
Avalanche Rugged Technology  
Rugged Gate Oxide Technology  
Lower Input Capacitance  
W
RDS(on) = 0.14  
ID = 2.8 A  
Improved Gate Charge  
Extended Safe Operating Area  
SOT-223  
mA  
Lower Leakage Current : 10  
(Max.) @ VDS = 60V  
2
W
Lower RDS(ON) : 0.097  
(Typ.)  
1
3
1. Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Value  
Units  
VDSS  
Drain-to-Source Voltage  
Continuous Drain Current (TA=25o  
Continuous Drain Current (TA=70 o  
V
60  
2.8  
)
)
C
ID  
A
C
2.25  
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
Drain Current-Pulsed  
1
A
V
22  
O
+
_
Gate-to-Source Voltage  
20  
2
O
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
67  
1
2.8  
0.21  
5.5  
O
EAR  
dv/dt  
1
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Total Power Dissipation (T =25o  
mJ  
V/ns  
W
O
3
O
*
)
C
2.1  
A
PD  
W/o  
*
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
0.017  
C
TJ , TSTG  
- 55 to +150  
300  
Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, from case for 5-seconds  
oC  
TL  
1/8”  
Thermal Resistance  
Symbol  
Characteristic  
Junction-to-Ambient  
Typ.  
--  
Max.  
Units  
oC  
R q  
*
60  
JA  
/W  
*
When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).  
Rev. B  
©1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

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