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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | LEAD FREE PACKAGE-4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 0.79 | Samacsys Confidence： | 3 |
| Samacsys Status： | Released | Samacsys PartID： | 11392824 |
| Samacsys Pin Count： | 4 | Samacsys Part Category： | Integrated Circuit |
| Samacsys Package Category： | SOT223 (3-Pin) | Samacsys Footprint Name： | sot223+ |
| Samacsys Released Date： | 2020-03-22 02:39:58 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 38 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.185 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-261AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2.8 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 21 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFL4315 | INFINEON |
类似代替  |
SMPS MOSFET |
|
| IRFL4315PBF | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFL5505 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | SOT-223 |
|
| IRFL640 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFL640PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFL9014 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFL9014 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-1.8A) |
|
| IRFL9014, SiHFL9014 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFL9014PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFL9014PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRFL9014TR | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFL9014TR | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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