IRFL9014TR

更新时间： 2024-11-16 05:39:31

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威世 - VISHAY		/
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描述
Power MOSFET

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IRFL9014TR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.13
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.8 A
最大漏极电流 (ID)：	1.8 A	最大漏源导通电阻：	0.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-261AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3.1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFL9014TR 数据手册

IRFL9014, SiHFL9014

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Surface Mount

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

- 60

Available

• Available in Tape and Reel

• Dynamic dV/dt Rating

_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

0.50

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

3.8

5.1

COMPLIANT

• Repetitive Avalanche Rated

• P-Channel

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

SOT-223

The SOT-223 package is designed for surface-mounting

using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.

Its unique package design allows for easy automatic

pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has

the added advantage of improved thermal performace due to

an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation of greater

than 1.25 W is possible in a typical surface mount

application.

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

SOT-223

IRFL9014PbF

SiHFL9014-E3

IRFL9014

IRFL9014TRPbF^a

SiHFL9014T-E3^a

IRFL9014TR^a

SiHFL9014T^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFL9014

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

- 60

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

- 1.8

- 1.1

- 14

Continuous Drain Current

V_GSat - 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.025

0.017

140

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

- 1.8

0.31

E_AR

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91195

S-81412-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

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IRFL9014TR 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTF2955T1G	ONSEMI	功能相似	â60 V, â2.6 A, Single PâChannel SOTâ2

与IRFL9014TR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFL9014TRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL9110	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL9110	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-1.1A)
IRFL9110, SiHFL9110	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL9110PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on)
IRFL9110PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL9110TR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL9110TRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL9110TRPBF	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFM	SEME-LAB	获取价格	N-CHANNEL POWER MOSFET

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