5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTF2955T1G
NTF2955T1G PDF预览

NTF2955T1G

更新时间： 2024-02-05 23:50:53
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
5页 116K
描述
−60 V, −2.6 A, Single P−Channel SOT−223

阅读下载

获取价格

NTF2955T1G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-261AA包装说明：TO-261, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.7Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：Released2D Presentation：https://componentsearchengine.com/2D/0T/226810.1.2.png
Schematic Symbol：https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=226810PCB Footprint：https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=226810
3D View：https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=226810Samacsys PartID：226810
Samacsys Image：https://componentsearchengine.com/Images/9/NTF2955T1G.jpgSamacsys Thumbnail Image：https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/NTF2955T1G.jpg
Samacsys Pin Count：4Samacsys Part Category：Transistor
Samacsys Package Category：SOT223 (3-Pin)Samacsys Footprint Name：SOT-223 ST SUFFIX CASE 318E-04 ISSUE N
Samacsys Released Date：2015-08-29 05:47:30Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：225 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.4 A最大漏极电流 (ID)：1.7 A
最大漏源导通电阻：0.185 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-261AAJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.92 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10.4 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTF2955T1G 数据手册

 浏览型号NTF2955T1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTF2955T1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTF2955T1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTF2955T1G的Datasheet PDF文件第5页 
NTF2955, NVF2955,  
NVF2955P  
Power MOSFET  
−60 V, −2.6 A, Single P−Channel SOT−223  
Features  
http://onsemi.com  
• Design for low R  
DS(on)  
• Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes  
• AEC−Q101 Qualified − NVF2955, NVF2955P  
V
R
TYP  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
−60 V  
−2.6 A  
145 mW @ −10 V  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
P−Channel  
Applications  
• Power Supplies  
• PWM Motor Control  
• Converters  
D
• Power Management  
G
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
S
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value  
Unit  
V
−60  
20  
V
MARKING DIAGRAMS AND  
DSS  
PIN ASSIGNMENT  
Gate−to−Source Voltage  
V
V
A
GS  
4 Drain  
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
Steady T = 25°C  
State  
I
−2.6  
−2.0  
2.3  
A
D
T = 85°C  
A
AYW  
2955G  
G
Power Dissipation  
(Note 1)  
Steady T = 25°C  
State  
P
W
A
A
D
4
3
1
Gate  
Continuous Drain  
Current (Note 2)  
Steady T = 25°C  
State  
I
−1.7  
−1.3  
1.0  
2
A
D
Source  
1
2
Drain  
3
T = 85°C  
A
4 Drain  
SOT−223  
CASE 318E  
STYLE 3  
Power Dissipation  
(Note 2)  
T = 25°C  
A
P
W
D
AYW  
2955PG  
G
Pulsed Drain Current  
tp = 10 ms  
I
−17  
A
DM  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
−55 to  
175  
°C  
J
3
1
Gate  
T
STG  
2
Source  
Drain  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
EAS  
225  
260  
mJ  
A
Y
W
G
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
Energy (V = 25 V, V = 10 V, I = 6.7 A,  
DD  
G
PK  
L = 10 mH, R = 25 W)  
G
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 seconds)  
T
L
°C  
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
ORDERING INFORMATION  
Parameter  
Symbol  
Max  
Unit  
†
Device  
Package  
Shipping  
Junction−to−Tab (Drain) − Steady State (Note 2)  
R
14  
q
JC  
NTF2955T1G  
SOT−223  
(Pb−Free)  
1000 /Tape & Reel  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 1)  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 2)  
R
65  
°C/W  
q
q
JA  
JA  
R
150  
NVF2955T1G  
SOT−223  
(Pb−Free)  
1000/ Tape & Reel  
1000/ Tape & Reel  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
NVF2955PT1G  
SOT−223  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
1. When surface mounted to an FR4 board using 1 in. pad size (Cu. area = 1.127  
2
in [1 oz] including traces)  
2. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended  
2
pad size (Cu. area = 0.341 in )  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
May, 2013 − Rev. 6  
NTF2955/D  
 
12345

下载PDF

与NTF2955T1G相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
NTF2955T3 ONSEMI Power MOSFET

获取价格
NTF2N08/D ETC 80 V Power MOSFET

获取价格
NTF3055-100 ONSEMI Power MOSFET 3.0 Amps 60 Volts N−Channel

获取价格
NTF3055-100T1 ONSEMI Power MOSFET 3.0 Amps 60 Volts N−Channel

获取价格
NTF3055-100T1G ONSEMI Power MOSFET 3.0 Amps, 60 Volts

获取价格
NTF3055-100T3 ONSEMI Power MOSFET 3.0 Amps 60 Volts N−Channel

获取价格

与NTF2955T1G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证