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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTF3055L108T3
NTF3055L108T3 PDF预览

NTF3055L108T3

更新时间： 2024-01-13 21:32:20
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 78K
描述
Power MOSFET 3.0 A, 60 V, Logic Level, N−Channel SOT−223

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NTF3055L108T3 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-261AA包装说明：ROHS COMPLIANT, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.16
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：74 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A
最大漏极电流 (ID)：3 A最大漏源导通电阻：0.12 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-261AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：3元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.1 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：9 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTF3055L108T3 数据手册

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NTF3055L108  
Preferred Device  
Power MOSFET  
3.0 A, 60 V, Logic Level, N−Channel  
SOT−223  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
http://onsemi.com  
3.0 A, 60 V  
Features  
RDS(on) = 120 mW  
• Pb−Free Packages are Available  
Applications  
N−Channel  
D
• Power Supplies  
• Converters  
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
G
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
S
C
Rating  
Symbol Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Drain−to−Source Voltage  
V
DSS  
60  
60  
4
SOT−223  
Drain−to−Gate Voltage (R = 1.0 MW)  
V
DGR  
GS  
CASE 318E  
STYLE 3  
1
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
2
V
GS  
15  
20  
Vdc  
Vpk  
3
− Non−repetitive (t ≤ 10 ms)  
p
MARKING DIAGRAM  
Drain Current  
− Continuous @ T = 25°C  
− Continuous @ T = 100°C  
− Single Pulse (t ≤ 10 ms)  
Adc  
Apk  
I
I
3.0  
1.4  
9.0  
A
D
D
A
AYW  
3055LG  
G
I
3055L = Device Code  
DM  
p
A
Y
W
G
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1)  
P
2.1  
1.3  
Watts  
Watts  
A
D
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 2)  
A
Derate above 25°C  
0.014 W/°C  
(Note: Microdot may be in either location)  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
J
−55  
to 175  
°C  
stg  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
74  
mJ  
PIN ASSIGNMENT  
Energy − Starting T = 25°C  
J
4
Drain  
(V = 25 Vdc, V = 5.0 Vdc,  
DD  
GS  
I
= 7.0 Apk, L = 3.0 mH, V = 60 Vdc)  
DS  
L(pk)  
Thermal Resistance  
−Junction−to−Ambient (Note 1)  
°C/W  
°C  
R
R
72.3  
114  
q
JA  
JA  
−Junction−to−Ambient (Note 2)  
q
Maximum Lead Temperature for Soldering  
T
260  
L
1
2
3
Gate Drain Source  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
1. When surface mounted to an FR4 board using 1″ pad size, 1 oz.  
2
(Cu. Area 0.0995 in ).  
2. When surface mounted to an FR4 board using minimum recommended pad  
2
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
size, 2−2.4 oz. (Cu. Area 0.272 in ).  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
December, 2005 − Rev. 4  
NTF3055L108/D  
 
123456

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