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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTF6P02T3G
NTF6P02T3G PDF预览

NTF6P02T3G

更新时间： 2024-01-17 09:35:00
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 142K
描述
Power MOSFET -6.0 Amps, -20 Volts

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NTF6P02T3G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-261AA包装说明：TO-261, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：9 weeks风险等级：0.95
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：150 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A
最大漏极电流 (ID)：10 A最大漏源导通电阻：0.05 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-261AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：8.3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：35 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTF6P02T3G 数据手册

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NTF6P02T3  
Power MOSFET  
−6.0 Amps, −20 Volts  
P−Channel SOT−223  
http://onsemi.com  
Features  
• Low R  
DS(on)  
−6.0 AMPERES  
−20 VOLTS  
• Logic Level Gate Drive  
• Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery  
• Avalanche Energy Specified  
• Pb−Free Package is Available  
RDS(on) = 44 mꢀ ꢁ ꢂꢃꢄꢅ ꢆ  
P−Channel  
Typical Applications  
D
• Power Management in Portables and Battery−Powered Products,  
i.e.: Cellular and Cordless Telephones and PCMCIA Cards  
G
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
S
V
DSS  
−20  
MARKING  
DIAGRAM  
& PIN  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
8.0  
4
Drain Current (Note 1)  
− Continuous @ T = 25°C  
I
−10  
−8.4  
−35  
Adc  
ASSIGNMENT  
A
D
D
− Continuous @ T = 70°C  
I
1
A
Drain  
4
2
− Single Pulse (t = 10 ms)  
I
Apk  
W
p
DM  
3
SOT−223  
CASE 318E  
STYLE 3  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
D
8.3  
A
AWW  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55  
to  
+150  
°C  
J
stg  
6P02 G  
G
1
2
3
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
150  
mJ  
°C/W  
°C  
AS  
Gate Drain Source  
Energy − Starting T = 25°C  
J
(V = −20 Vdc, V = −5.0 Vdc,  
DD  
L(pk)  
GS  
A
= Assembly Location  
= Work Week  
= Specific Device Code  
= Pb−Free Package  
I
= −10 A, L = 3.0 mH, R = 25W)  
G
WW  
6P02  
G
Thermal Resistance  
− Junction to Lead (Note 1)  
− Junction to Ambient (Note 2)  
− Junction to Ambient (Note 3)  
R
R
15  
71.4  
160  
q
JL  
JA  
JA  
q
q
(Note: Microdot may be in either location)  
R
ORDERING INFORMATION  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
L
†
Device  
Package  
Shipping  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Steady State.  
NTF6P02T3  
SOT−223 4000/Tape & Reel  
4000/Tape & Reel  
SOT−223  
(Pb−Free)  
NTF6P02T3G  
2. When surface mounted to an FR4 board using 1” pad size,  
(Cu. Area 1.127 sq in), Steady State.  
3. When surface mounted to an FR4 board using minimum recommended pad  
size, (Cu. Area 0.412 sq in), Steady State.  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
March, 2006 − Rev. 1  
NTF6P02T3/D  
123456

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NTF6P02T3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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