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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTF6P02T3
NTF6P02T3 PDF预览

NTF6P02T3

更新时间： 2024-01-24 02:52:56
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
8页 71K
描述
Power MOSFET -6.0 Amps, -20 Volts P-Channel SOT-223

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NTF6P02T3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-261AA包装说明：TO-261, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：9 weeks风险等级：0.95
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：150 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A
最大漏极电流 (ID)：10 A最大漏源导通电阻：0.05 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-261AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：8.3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：35 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTF6P02T3 数据手册

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NTF6P02T3  
Power MOSFET  
-6.0 Amps, -20 Volts  
P–Channel SOT–223  
Features  
http://onsemi.com  
• Low R  
DS(on)  
• Logic Level Gate Drive  
• Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery  
• Avalanche Energy Specified  
–6.0 AMPERES  
–20 VOLTS  
RDS(on) = 44 mW (Typ.)  
Typical Applications  
P–Channel  
• Power Management in Portables and Battery–Powered Products, i.e.:  
Cellular and Cordless Telephones and PCMCIA Cards  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Drain–to–Source Voltage  
Gate–to–Source Voltage  
Drain Current (Note 1)  
Symbol Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
G
V
DSS  
–20  
V
GS  
±8.0  
S
– Continuous @ T = 25°C  
I
I
–10  
–8.4  
–35  
Adc  
A
D
D
MARKING  
DIAGRAM  
– Continuous @ T = 70°C  
A
I
Apk  
W
– Single Pulse (t = 10 µs)  
DM  
p
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
8.3  
A
D
4
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to  
+150  
°C  
SOT–223  
CASE 318E  
STYLE 3  
J
stg  
AWW  
6P02  
1
2
Single Pulse Drain–to–Source Avalanche  
E
AS  
150  
mJ  
°C/W  
°C  
3
Energy – Starting T = 25°C  
J
(V = –20 Vdc, V = –5.0 Vdc,  
DD  
GS  
I
= –10 A, L = 3.0 mH, R = 25W)  
A
WW  
6P02  
= Assembly Location  
= Work Week  
= Device Code  
L(pk)  
G
Thermal Resistance  
– Junction to Lead (Note 1)  
– Junction to Ambient (Note 2)  
– Junction to Ambient (Note 3)  
R
R
R
15  
71.4  
160  
θ
θ
θ
JL  
JA  
JA  
PIN ASSIGNMENT  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
T
L
260  
4 Drain  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
1. Steady State.  
2. When surface mounted to an FR4 board using 1″ pad size,  
2
(Cu. Area 1.127 in ), Steady State.  
3. When surface mounted to an FR4 board using minimum recommended pad  
2
size, (Cu. Area 0.412 in ), Steady State.  
1
2
3
Gate Drain Source  
ORDERING INFORMATION  
Device  
NTF6P02T3  
Package  
Shipping  
SOT–223 4000/Tape & Reel  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002  
1
Publication Order Number:  
September, 2002 – Rev. 0  
NTF6P02T3/D  
12345678

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