5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTF3055L175T3
NTF3055L175T3 PDF预览

NTF3055L175T3

更新时间： 2024-11-23 03:45:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 67K
描述
Power MOSFET 2.0 A, 60 V, Logic Level

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTF3055L175T3 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-261AA包装说明：CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.34
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：65 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A最大漏极电流 (ID)：2 A
最大漏源导通电阻：0.175 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-261AAJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：6 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTF3055L175T3 数据手册

 浏览型号NTF3055L175T3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTF3055L175T3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTF3055L175T3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTF3055L175T3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NTF3055L175T3的Datasheet PDF文件第6页 
NTF3055L175  
Preferred Device  
Power MOSFET  
2.0 A, 60 V, Logic Level  
N−Channel SOT−223  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
http://onsemi.com  
2.0 A, 60 V  
Features  
R
DS(on) = 175 mW  
• Pb−Free Packages are Available  
Applications  
N−Channel  
• Power Supplies  
• Converters  
D
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
G
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
S
Rating  
Symbol Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Drain−to−Source Voltage  
V
DSS  
60  
60  
Drain−to−Gate Voltage (R = 1.0 MW)  
V
DGR  
GS  
4
SOT−223  
CASE 318E  
STYLE 3  
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
V
GS  
± 15  
± 20  
Vdc  
Vpk  
1
2
− Non−repetitive (t ≤ 10 ms)  
p
3
Drain Current  
− Continuous @ T = 25°C  
I
I
2.0  
1.2  
6.0  
Adc  
Apk  
A
D
D
− Continuous @ T = 100°C  
A
MARKING DIAGRAM  
I
− Single Pulse (t ≤ 10 ms)  
DM  
p
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1)  
P
2.1  
1.3  
W
W
A
D
5L175 = Device Code  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 2)  
A
5L175  
LWW  
L
= Location Code  
= Work Week  
Derate above 25°C  
0.014 W/°C  
WW  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
J
−55  
°C  
stg  
to 175  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
65  
mJ  
Energy − Starting T = 25°C  
J
PIN ASSIGNMENT  
(V = 25 Vdc, V = 5.0 Vdc,  
DD  
GS  
4
I
= 3.6 A, L = 10 mH, V = 60 Vdc)  
Drain  
L(pk)  
DS  
Thermal Resistance  
− Junction−to−Ambient (Note 1)  
− Junction−to−Ambient (Note 2)  
°C/W  
°C  
R
R
72.3  
114  
q
JA  
JA  
q
Maximum Lead Temperature for Soldering  
T
260  
L
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
1
2
3
Gate Drain Source  
1. When surface mounted to an FR4 board using 1″ pad size, 1 oz. (Cu. Area  
2
0.995 in ).  
2. When surface mounted to an FR4 board using minimum recommended pad  
2
size, 2−2.4 oz. (Cu. Area 0.272 in ).  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
Preferred devices are recommended choices for future  
use and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
February, 2004 − Rev. 2  
NTF3055L175/D  
 
123456

中文翻译

下载PDF

NTF3055L175T3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTF3055L175T1 ONSEMI

完全替代

 Power MOSFET 2.0 A, 60 V, Logic Level
NTF3055L175T3LF ONSEMI

完全替代

 Power MOSFET 2.0 A, 60 V, Logic Level
NTF3055L175T1G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 2.0 A, 60 V, Logic Level

与NTF3055L175T3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTF3055L175T3G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 2.0 A, 60 V, Logic Level
NTF3055L175T3LF ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 2.0 A, 60 V, Logic Level
NTF3055L175T3LFG ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 2.0 A, 60 V, Logic Level
NTF3226E-F PERICOM

获取价格

 		Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 0.032768MHz Nom, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
NTF3N08/D ETC

获取价格

 		80 V Power MOSFET
NTF5P03T3 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET
NTF5P03T3D ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET
NTF5P03T3G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 5.2 A, 30 V
NTF6P02 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts
NTF6P02T3 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET -6.0 Amps, -20 Volts P-Channel SOT-223

与NTF3055L175T3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证