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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTF3055L175T3G
NTF3055L175T3G PDF预览

NTF3055L175T3G

更新时间： 2024-11-26 03:45:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 67K
描述
Power MOSFET 2.0 A, 60 V, Logic Level

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NTF3055L175T3G 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-261AA包装说明：LEAD FREE, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.34
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：65 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A最大漏极电流 (ID)：2 A
最大漏源导通电阻：0.175 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-261AAJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：3
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：6 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTF3055L175T3G 数据手册

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NTF3055L175  
Preferred Device  
Power MOSFET  
2.0 A, 60 V, Logic Level  
N−Channel SOT−223  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
http://onsemi.com  
2.0 A, 60 V  
Features  
R
DS(on) = 175 mW  
• Pb−Free Packages are Available  
Applications  
N−Channel  
• Power Supplies  
• Converters  
D
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
G
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
S
Rating  
Symbol Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Drain−to−Source Voltage  
V
DSS  
60  
60  
Drain−to−Gate Voltage (R = 1.0 MW)  
V
DGR  
GS  
4
SOT−223  
CASE 318E  
STYLE 3  
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
V
GS  
± 15  
± 20  
Vdc  
Vpk  
1
2
− Non−repetitive (t ≤ 10 ms)  
p
3
Drain Current  
− Continuous @ T = 25°C  
I
I
2.0  
1.2  
6.0  
Adc  
Apk  
A
D
D
− Continuous @ T = 100°C  
A
MARKING DIAGRAM  
I
− Single Pulse (t ≤ 10 ms)  
DM  
p
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1)  
P
2.1  
1.3  
W
W
A
D
5L175 = Device Code  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 2)  
A
5L175  
LWW  
L
= Location Code  
= Work Week  
Derate above 25°C  
0.014 W/°C  
WW  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
J
−55  
°C  
stg  
to 175  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
65  
mJ  
Energy − Starting T = 25°C  
J
PIN ASSIGNMENT  
(V = 25 Vdc, V = 5.0 Vdc,  
DD  
GS  
4
I
= 3.6 A, L = 10 mH, V = 60 Vdc)  
Drain  
L(pk)  
DS  
Thermal Resistance  
− Junction−to−Ambient (Note 1)  
− Junction−to−Ambient (Note 2)  
°C/W  
°C  
R
R
72.3  
114  
q
JA  
JA  
q
Maximum Lead Temperature for Soldering  
T
260  
L
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
1
2
3
Gate Drain Source  
1. When surface mounted to an FR4 board using 1″ pad size, 1 oz. (Cu. Area  
2
0.995 in ).  
2. When surface mounted to an FR4 board using minimum recommended pad  
2
size, 2−2.4 oz. (Cu. Area 0.272 in ).  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
Preferred devices are recommended choices for future  
use and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
February, 2004 − Rev. 2  
NTF3055L175/D  
 
123456

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NTF3055L175T3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTF3055L175T1G ONSEMI

完全替代

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NTF3055L175T3LF ONSEMI

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