NTF5P03T3D

更新时间： 2024-01-13 03:51:23

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描述
Power MOSFET

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NTF5P03T3D 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-261AA	包装说明：	TO-261, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	11 weeks
风险等级：	0.71	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	250 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.7 A	最大漏极电流 (ID)：	3.7 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-261AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.56 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	19 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NTF5P03T3D 数据手册

NTF5P03T3

Preferred Device

Power MOSFET

5.2 Amps, 30 Volts

P–Channel SOT–223

Features

http://onsemi.com

• Ultra Low R

DS(on)

• Higher Efficiency Extending Battery Life

• Logic Level Gate Drive

• Miniature SOT–223 Surface Mount Package

• Avalanche Energy Specified

5.2 AMPERES

30 VOLTS

R_DS(on)= 100 mW

P–Channel

Applications

• DC–DC Converters

• Power Management

• Motor Controls

• Inductive Loads

• Replaces MMFT5P03HD

MARKING

DIAGRAM

SOT–223

CASE 318E

STYLE 3

AWW

5P03

= Assembly Location

= Work Week

= Device Code

PIN ASSIGNMENT

Drain

Gate Drain Source

ORDERING INFORMATION

Device

NTF5P03T3

Package

Shipping

SOT–223 1000 Tape & Reel

Semiconductor Components Industries, LLC, 2002

Publication Order Number:

May, 2002 – Rev. 1

NTF5P03T3/D

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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