是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-261AA | 包装说明: | LEAD FREE, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.74 |
雪崩能效等级(Eas): | 65 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2 A | 最大漏极电流 (ID): | 2 A |
最大漏源导通电阻: | 0.175 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-261AA | JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 2.1 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 6 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NTF3226E-F | PERICOM |
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Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 0.032768MHz Nom, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 | |
NTF3N08/D | ETC |
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80 V Power MOSFET | |
NTF5P03T3 | ONSEMI |
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Power MOSFET | |
NTF5P03T3D | ONSEMI |
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Power MOSFET | |
NTF5P03T3G | ONSEMI |
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Power MOSFET 5.2 A, 30 V | |
NTF6P02 | ONSEMI |
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Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts | |
NTF6P02T3 | ONSEMI |
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Power MOSFET -6.0 Amps, -20 Volts P-Channel SOT-223 | |
NTF6P02T3/D | ETC |
获取价格 |
NTF6P02T3 | |
NTF6P02T3_06 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET -6.0 Amps, -20 Volts | |
NTF6P02T3-D | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts P−Channel SOT−223 |