5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTF3055L108T3LF
NTF3055L108T3LF PDF预览

NTF3055L108T3LF

更新时间： 2024-11-26 03:29:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 78K
描述
Power MOSFET 3.0 A, 60 V, Logic Level, N−Channel SOT−223

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTF3055L108T3LF 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-261AA包装说明：CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.16
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：74 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A
最大漏极电流 (ID)：3 A最大漏源导通电阻：0.12 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-261AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：3元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.1 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：9 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTF3055L108T3LF 数据手册

 浏览型号NTF3055L108T3LF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTF3055L108T3LF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTF3055L108T3LF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTF3055L108T3LF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NTF3055L108T3LF的Datasheet PDF文件第6页 
NTF3055L108  
Preferred Device  
Power MOSFET  
3.0 A, 60 V, Logic Level, N−Channel  
SOT−223  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
http://onsemi.com  
3.0 A, 60 V  
Features  
RDS(on) = 120 mW  
• Pb−Free Packages are Available  
Applications  
N−Channel  
D
• Power Supplies  
• Converters  
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
G
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
S
C
Rating  
Symbol Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Drain−to−Source Voltage  
V
DSS  
60  
60  
4
SOT−223  
Drain−to−Gate Voltage (R = 1.0 MW)  
V
DGR  
GS  
CASE 318E  
STYLE 3  
1
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
2
V
GS  
15  
20  
Vdc  
Vpk  
3
− Non−repetitive (t ≤ 10 ms)  
p
MARKING DIAGRAM  
Drain Current  
− Continuous @ T = 25°C  
− Continuous @ T = 100°C  
− Single Pulse (t ≤ 10 ms)  
Adc  
Apk  
I
I
3.0  
1.4  
9.0  
A
D
D
A
AYW  
3055LG  
G
I
3055L = Device Code  
DM  
p
A
Y
W
G
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1)  
P
2.1  
1.3  
Watts  
Watts  
A
D
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 2)  
A
Derate above 25°C  
0.014 W/°C  
(Note: Microdot may be in either location)  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
J
−55  
to 175  
°C  
stg  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
74  
mJ  
PIN ASSIGNMENT  
Energy − Starting T = 25°C  
J
4
Drain  
(V = 25 Vdc, V = 5.0 Vdc,  
DD  
GS  
I
= 7.0 Apk, L = 3.0 mH, V = 60 Vdc)  
DS  
L(pk)  
Thermal Resistance  
−Junction−to−Ambient (Note 1)  
°C/W  
°C  
R
R
72.3  
114  
q
JA  
JA  
−Junction−to−Ambient (Note 2)  
q
Maximum Lead Temperature for Soldering  
T
260  
L
1
2
3
Gate Drain Source  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
1. When surface mounted to an FR4 board using 1″ pad size, 1 oz.  
2
(Cu. Area 0.0995 in ).  
2. When surface mounted to an FR4 board using minimum recommended pad  
2
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
size, 2−2.4 oz. (Cu. Area 0.272 in ).  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
December, 2005 − Rev. 4  
NTF3055L108/D  
 
123456

中文翻译

下载PDF

NTF3055L108T3LF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NVF3055L108T1G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 3.0 A, 60 V, Logic Level, N−Ch
NTF3055L108T3G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 3.0 A, 60 V, Logic Level, N−Channel SOT−223
NTF3055L108T1G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 3.0 A, 60 V, Logic Level, N−Channel SOT−223

与NTF3055L108T3LF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTF3055L108T3LFG ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 3.0 A, 60 V, Logic Level, N−Channel SOT−223
NTF3055L175 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 2.0 A, 60 V, Logic Level
NTF3055L175T1 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 2.0 A, 60 V, Logic Level
NTF3055L175T1G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 2.0 A, 60 V, Logic Level
NTF3055L175T3 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 2.0 A, 60 V, Logic Level
NTF3055L175T3G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 2.0 A, 60 V, Logic Level
NTF3055L175T3LF ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 2.0 A, 60 V, Logic Level
NTF3055L175T3LFG ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 2.0 A, 60 V, Logic Level
NTF3226E-F PERICOM

获取价格

 		Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 0.032768MHz Nom, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
NTF3N08/D ETC

获取价格

 		80 V Power MOSFET

与NTF3055L108T3LF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证