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Datasheet > 暂无类别数据> NTF3055-100T3G
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NTF3055-100T3G

更新时间： 2024-11-23 10:30:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 138K
描述
Power MOSFET 3.0 Amps 60 Volts N−Channel

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NTF3055-100T3G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：TO-261AA包装说明：TO-261, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.16Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：74 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A最大漏极电流 (ID)：3 A
最大漏源导通电阻：0.11 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：155 pFJEDEC-95代码：TO-261AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.1 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：9 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTF3055-100T3G 数据手册

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NTF3055−100  
Preferred Device  
Power MOSFET  
3.0 Amps, 60 Volts  
N−Channel SOT−223  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
http://onsemi.com  
3.0 A, 60 V  
Features  
RDS(on) = 110 mW  
• Pb−Free Packages are Available  
N−Channel  
D
Applications  
• Power Supplies  
• Converters  
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
G
S
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
MARKING  
DIAGRAM  
& PIN  
Rating  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
4
V
DSS  
60  
60  
ASSIGNMENT  
1
Drain−to−Gate Voltage (R = 10 MW)  
V
DGR  
Drain  
4
GS  
2
3
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
SOT−223  
CASE 318E  
STYLE 3  
V
GS  
20  
30  
Vdc  
Vpk  
AWW  
− Non−repetitive (t ≤ 10 ms)  
p
3055 G  
G
Drain Current  
− Continuous @ T = 25°C  
I
3.0  
1.4  
9.0  
Adc  
Apk  
A
D
D
− Continuous @ T = 100°C  
− Single Pulse (t ≤ 10 ms)  
I
A
1
2
3
I
p
DM  
Gate Drain Source  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1)  
P
2.1  
1.3  
W
W
A
D
A
= Assembly Location  
= Work Week  
= Specific Device Code  
= Pb−Free Package  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 2)  
A
WW  
3055  
G
0.014 W/°C  
Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
J
−55  
to 175  
°C  
stg  
(Note: Microdot may be in either location)  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
74  
mJ  
ORDERING INFORMATION  
Energy − Starting T = 25°C  
J
(V = 25 Vdc, V = 10 Vdc,  
†
DD  
GS  
Device  
Package  
Shipping  
I (pk) = 7.0 Apk, L = 3.0 mH, V = 60 Vdc)  
L
DS  
NTF3055−100T1  
SOT−223 1000/Tape & Reel  
Thermal Resistance  
°C/W  
°C  
− Junction−to−Ambient (Note 1)  
− Junction−to−Ambient (Note 2)  
R
R
72.3  
114  
q
JA  
JA  
1000/Tape & Reel  
SOT−223  
(Pb−Free)  
NTF3055−100T1G  
q
Maximum Lead Temperature for Soldering  
T
260  
L
NTF3055−100T3  
SOT−223 4000/Tape & Reel  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
NTF3055−100T3G SOT−223 4000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
NTF3055−100T3LF SOT−223 4000/Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
1. When surface mounted to an FR4 board using 1″ pad size, 1 oz.  
(Cu. Area 1.127 sq in).  
2. When surface mounted to an FR4 board using minimum recommended pad  
size, 2−2.4 oz. (Cu. Area 0.272 sq in).  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
February, 2006 − Rev. 3  
NTF3055−100/D  
123456

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