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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NTF3055-100T1G
NTF3055-100T1G PDF预览

NTF3055-100T1G

更新时间： 2024-02-22 02:23:42
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
6页 113K
描述
Power MOSFET 3.0 Amps, 60 Volts

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NTF3055-100T1G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-261AA包装说明：TO-261, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：8 weeks
风险等级：0.69Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：226811
Samacsys Pin Count：4Samacsys Part Category：Transistor
Samacsys Package Category：SOT223 (3-Pin)Samacsys Footprint Name：SOT-223 ST SUFFIX CASE 318E-04 ISSUE N
Samacsys Released Date：2015-08-29 05:49:01Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：74 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A最大漏极电流 (ID)：3 A
最大漏源导通电阻：0.11 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：155 pFJEDEC-95代码：TO-261AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.1 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：9 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTF3055-100T1G 数据手册

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NTF3055-100,  
NVF3055-100  
Power MOSFET  
3.0 Amps, 60 Volts  
N−Channel SOT−223  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
http://onsemi.com  
3.0 A, 60 V  
RDS(on) = 110 mW  
Features  
N−Channel  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable − NVF3055−100  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
D
Applications  
• Power Supplies  
• Converters  
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
G
S
MARKING  
DIAGRAM  
& PIN  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
4
C
ASSIGNMENT  
Rating  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
1
Drain  
4
2
V
60  
60  
DSS  
3
SOT−223  
CASE 318E  
STYLE 3  
Drain−to−Gate Voltage (R = 10 MW)  
V
DGR  
GS  
AWW  
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
3055 G  
V
GS  
20  
30  
Vdc  
Vpk  
G
− Non−repetitive (t ≤ 10 ms)  
p
1
2
3
Drain Current  
Gate Drain Source  
− Continuous @ T = 25°C  
I
3.0  
1.4  
9.0  
Adc  
Apk  
A
D
D
− Continuous @ T = 100°C  
− Single Pulse (t ≤ 10 ms)  
I
A
A
= Assembly Location  
= Work Week  
= Specific Device Code  
= Pb−Free Package  
I
p
DM  
WW  
3055  
G
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1)  
P
2.1  
1.3  
W
W
A
D
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 2)  
A
0.014 W/°C  
Derate above 25°C  
(Note: Microdot may be in either location)  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55  
to 175  
°C  
J
stg  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
NTF3055−100T1G  
Package  
Shipping  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
74  
mJ  
Energy − Starting T = 25°C  
J
1000 / Tape &  
Reel  
SOT−223  
(Pb−Free)  
(V = 25 Vdc, V = 10 Vdc,  
DD  
GS  
I (pk) = 7.0 Apk, L = 3.0 mH, V = 60 Vdc)  
L
DS  
Thermal Resistance  
°C/W  
°C  
NTF3055−100T3G SOT−223  
(Pb−Free)  
4000 / Tape &  
Reel  
− Junction−to−Ambient (Note 1)  
− Junction−to−Ambient (Note 2)  
R
R
72.3  
114  
q
JA  
JA  
q
NVF3055−100T1G SOT−223  
(Pb−Free)  
1000 / Tape &  
Reel  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
T
260  
L
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
1. When surface mounted to an FR4 board using 1″ pad size, 1 oz.  
(Cu. Area 1.127 sq in).  
2. When surface mounted to an FR4 board using minimum recommended pad  
size, 2−2.4 oz. (Cu. Area 0.272 sq in).  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
October, 2011 − Rev. 4  
NTF3055−100/D  
 
123456

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NTF3055-100T1G 替代型号

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