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NVF3055L108T1G

更新时间： 2024-02-21 10:22:48
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 117K
描述
Power MOSFET 3.0 A, 60 V, Logic Level, N−Channel SOT−223

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NVF3055L108T1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-261AA包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.47
雪崩能效等级（Eas）：74 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A最大漏极电流 (ID)：3 A
最大漏源导通电阻：0.12 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-261AAJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：9 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NVF3055L108T1G 数据手册

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NTF3055L108,  
NVF3055L108  
Power MOSFET  
3.0 A, 60 V, Logic Level, N−Channel  
SOT−223  
http://onsemi.com  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
3.0 A, 60 V  
RDS(on) = 120 mW  
Features  
• AEC Q101 Qualified − NVF3055L108  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
N−Channel  
D
Applications  
• Power Supplies  
• Converters  
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
G
S
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Symbol Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
4
SOT−223  
CASE 318E  
STYLE 3  
Drain−to−Source Voltage  
V
60  
60  
DSS  
1
Drain−to−Gate Voltage (R = 1.0 MW)  
V
DGR  
GS  
2
3
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
V
GS  
15  
20  
Vdc  
Vpk  
MARKING DIAGRAM  
− Non−repetitive (t ≤ 10 ms)  
p
Drain Current  
− Continuous @ T = 25°C  
− Continuous @ T = 100°C  
− Single Pulse (t ≤ 10 ms)  
Adc  
Apk  
I
I
3.0  
1.4  
9.0  
A
D
D
AYW  
3055LG  
G
3055L = Device Code  
A
A
Y
W
G
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
I
DM  
p
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1)  
P
D
2.1  
1.3  
Watts  
Watts  
A
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 2)  
A
(Note: Microdot may be in either location)  
Derate above 25°C  
0.014 W/°C  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55  
to 175  
°C  
J
stg  
PIN ASSIGNMENT  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
74  
mJ  
4
Drain  
Energy − Starting T = 25°C  
J
(V = 25 Vdc, V = 5.0 Vdc,  
DD  
GS  
I
= 7.0 Apk, L = 3.0 mH, V = 60 Vdc)  
L(pk)  
DS  
Thermal Resistance  
−Junction−to−Ambient (Note 1)  
°C/W  
°C  
R
R
72.3  
114  
q
JA  
JA  
−Junction−to−Ambient (Note 2)  
q
1
2
3
Gate Drain Source  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
T
260  
L
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
1. When surface mounted to an FR4 board using 1″ pad size, 1 oz.  
2
(Cu. Area 0.0995 in ).  
2. When surface mounted to an FR4 board using minimum recommended pad  
2
size, 2−2.4 oz. (Cu. Area 0.272 in ).  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
October, 2011 − Rev. 6  
NTF3055L108/D  
 
123456

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NVF3055L108T1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTF3055-100T1G ONSEMI

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NTF3055L108T3G ONSEMI

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 Power MOSFET 3.0 A, 60 V, Logic Level, N−Channel SOT−223
NTF3055L108T1G ONSEMI

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NVF3055L108T3G ONSEMI

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