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NTF3055-160T1

更新时间： 2024-11-22 21:55:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
8页 59K
描述
Power MOSFET 2.0 Amps, 60 Volts N-Channel SOT-223

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NTF3055-160T1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-261包装说明：CASE 318E-04, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.15
雪崩能效等级（Eas）：65 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A最大漏极电流 (ID)：2 A
最大漏源导通电阻：0.16 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-261JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.3 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：6 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTF3055-160T1 数据手册

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NTF3055-160  
Preferred Device  
Power MOSFET  
2.0 Amps, 60 Volts  
N–Channel SOT–223  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
http://onsemi.com  
2.0 AMPERES  
60 VOLTS  
Applications  
• Power Supplies  
• Converters  
R
= 160 mW  
DS(on)  
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
N–Channel  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Symbol Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
G
Drain–to–Source Voltage  
V
DSS  
60  
60  
Drain–to–Gate Voltage (R  
= 1.0 MΩ)  
V
DGR  
GS  
S
Gate–to–Source Voltage  
– Continuous  
V
GS  
± 20  
± 30  
Vdc  
Vpk  
– Non–repetitive (t ≤ 10 ms)  
p
MARKING  
DIAGRAM  
Drain Current  
– Continuous @ T = 25°C  
I
I
2.0  
1.2  
6.0  
Adc  
Apk  
A
D
D
– Continuous @ T = 100°C  
A
4
I
– Single Pulse (t ≤ 10 µs)  
DM  
p
SOT–223  
CASE 318E  
STYLE 3  
5160  
LWW  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1.)  
P
2.1  
1.3  
W
W
A
D
1
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 2.)  
A
2
3
Derate above 25°C  
0.014 W/°C  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
stg  
–55 to  
175  
°C  
J
5160  
L
WW  
= Device Code  
= Location Code  
= Work Week  
Single Pulse Drain–to–Source Avalanche  
E
AS  
65  
mJ  
Energy – Starting T = 25°C  
J
GS  
(V  
= 25 Vdc, V  
= 10 Vdc,  
DD  
PIN ASSIGNMENT  
I (pk) = 6.0 Apk, L = 10 mH, V  
L
= 60 Vdc)  
DS  
4
Drain  
Thermal Resistance  
°C/W  
°C  
– Junction to Ambient (Note 1.)  
– Junction to Ambient (Note 2.)  
R
R
72.3  
114  
θJA  
θJA  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
L
1. When surface mounted to an FR4 board using 1″ pad size,  
2
1
2
3
Gate Drain Source  
(Cu. Area 1.127 in ).  
2. When surface mounted to an FR4 board using minimum recommended pad  
2
size, 2–2.4 oz. (Cu. Area 0.272 in ).  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
NTF3055–160T1  
NTF3055–160T3  
SOT–223 1000 Tape & Reel  
SOT–223 4000 Tape & Reel  
NTF3055–160T3LF SOT–223 4000 Tape & Reel  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
July, 2001 – Rev. 0  
NTF3055–160/D  
12345678

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NTF3055-160T1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTF3055-160T3LF ONSEMI

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