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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTF2955T3
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NTF2955T3

更新时间： 2024-01-28 09:35:17
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 60K
描述
Power MOSFET

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NTF2955T3 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-261AA
包装说明：TO-261, CASE 318E-04, 4 PIN针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.25Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：225 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.4 A最大漏极电流 (ID)：1.7 A
最大漏源导通电阻：0.185 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-261AAJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.92 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：10.4 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTF2955T3 数据手册

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NTF2955  
Power MOSFET  
−60 V, −2.6 A, Single P−Channel SOT−223  
Features  
• TMOS7 Design for low R  
DS(on)  
• Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes  
http://onsemi.com  
Applications  
V
R
TYP  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
• Power Supplies  
• PWM Motor Control  
• Converters  
−60 V  
145 mW @ −10 V  
−2.6 A  
P−Channel  
• Power Management  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value  
Unit  
V
V
DSS  
−60  
±20  
G
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
V
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
Steady T = 25°C  
I
D
−2.6  
−2.0  
A
S
A
State  
T = 85°C  
A
MARKING  
DIAGRAM  
4
SOT−223  
CASE 318E  
STYLE 3  
Power Dissipation  
(Note 1)  
Steady T = 25°C  
State  
P
D
2.3  
W
A
1
2
3
2955  
LWW  
Continuous Drain  
Current (Note 2)  
Steady T = 25°C  
I
−1.7  
−1.3  
1.0  
A
A
D
2955  
L
WW  
= Device Code  
= Location Code  
= Work Week  
State  
T = 85°C  
A
Power Dissipation  
(Note 2)  
T = 25°C  
A
P
W
D
PIN ASSIGNMENT  
Pulsed Drain Current  
tp = 10 ms  
I
−10.4  
A
DM  
4
Drain  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
−55 to  
175  
°C  
J
T
STG  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
EAS  
225  
mJ  
Energy (V = 25 V, V = 10 V, I = 6.7 A,  
DD  
G
PK  
L = 10 mH, R = 25 W)  
G
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
1
2
3
Gate Drain Source  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
ORDERING INFORMATION  
Symbol  
Max  
14  
Unit  
†
Device  
Package  
Shipping  
Junction−to−Tab (Drain) − Steady State (Note 2)  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 1)  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 2)  
R
°C/W  
q
JC  
q
JA  
q
JA  
NTF2955T1  
NTF2955T3  
SOT−223  
SOT−223  
1000/Tape & Reel  
4000/Tape & Reel  
R
R
65  
150  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
1. When surface mounted to an FR4 board using 1 in. pad size  
2
(Cu. area = 1.127 in [1 oz] including traces)  
2. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended  
2
pad size (Cu. area = 0.341 in )  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
August, 2004 − Rev. 1  
NTF2955/D  
 
123456

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NTF2N08/D ETC 80 V Power MOSFET

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