5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NVF2955PT1G
NVF2955PT1G PDF预览

NVF2955PT1G

更新时间： 2024-02-10 08:58:21
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
5页 116K
描述
Power MOSFET −60 V, −2.6 A, Single P−Channel SOT−223

阅读下载

中文翻译

获取价格

NVF2955PT1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.24
雪崩能效等级（Eas）：225 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：1.7 A最大漏源导通电阻：0.185 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-261AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：17 A
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NVF2955PT1G 数据手册

 浏览型号NVF2955PT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NVF2955PT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NVF2955PT1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NVF2955PT1G的Datasheet PDF文件第5页 
NTF2955, NVF2955,  
NVF2955P  
Power MOSFET  
−60 V, −2.6 A, Single P−Channel SOT−223  
Features  
http://onsemi.com  
• Design for low R  
DS(on)  
• Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes  
• AEC−Q101 Qualified − NVF2955, NVF2955P  
V
R
TYP  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
−60 V  
−2.6 A  
145 mW @ −10 V  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
P−Channel  
Applications  
• Power Supplies  
• PWM Motor Control  
• Converters  
D
• Power Management  
G
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
S
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value  
Unit  
V
−60  
20  
V
MARKING DIAGRAMS AND  
DSS  
PIN ASSIGNMENT  
Gate−to−Source Voltage  
V
V
A
GS  
4 Drain  
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
Steady T = 25°C  
State  
I
−2.6  
−2.0  
2.3  
A
D
T = 85°C  
A
AYW  
2955G  
G
Power Dissipation  
(Note 1)  
Steady T = 25°C  
State  
P
W
A
A
D
4
3
1
Gate  
Continuous Drain  
Current (Note 2)  
Steady T = 25°C  
State  
I
−1.7  
−1.3  
1.0  
2
A
D
Source  
1
2
Drain  
3
T = 85°C  
A
4 Drain  
SOT−223  
CASE 318E  
STYLE 3  
Power Dissipation  
(Note 2)  
T = 25°C  
A
P
W
D
AYW  
2955PG  
G
Pulsed Drain Current  
tp = 10 ms  
I
−17  
A
DM  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
−55 to  
175  
°C  
J
3
1
Gate  
T
STG  
2
Source  
Drain  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
EAS  
225  
260  
mJ  
A
Y
W
G
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
Energy (V = 25 V, V = 10 V, I = 6.7 A,  
DD  
G
PK  
L = 10 mH, R = 25 W)  
G
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 seconds)  
T
L
°C  
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
ORDERING INFORMATION  
Parameter  
Symbol  
Max  
Unit  
†
Device  
Package  
Shipping  
Junction−to−Tab (Drain) − Steady State (Note 2)  
R
14  
q
JC  
NTF2955T1G  
SOT−223  
(Pb−Free)  
1000 /Tape & Reel  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 1)  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 2)  
R
65  
°C/W  
q
q
JA  
JA  
R
150  
NVF2955T1G  
SOT−223  
(Pb−Free)  
1000/ Tape & Reel  
1000/ Tape & Reel  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
NVF2955PT1G  
SOT−223  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
1. When surface mounted to an FR4 board using 1 in. pad size (Cu. area = 1.127  
2
in [1 oz] including traces)  
2. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended  
2
pad size (Cu. area = 0.341 in )  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
May, 2013 − Rev. 6  
NTF2955/D  
 
12345

中文翻译

下载PDF

NVF2955PT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTF2955T1G ONSEMI

类似代替

 −60 V, −2.6 A, Single P−Channel SOT−2
NVF2955T1G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET −60 V, −2.6 A, Single P−Ch
NTF2955T1 ONSEMI

功能相似

 Power MOSFET

与NVF2955PT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NVF2955T1G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET −60 V, −2.6 A, Single P−Ch
NVF3055-100T1G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 3.0 Amps, 60 Volts
NVF3055L108 ONSEMI

获取价格

 		3.0 A, 60 V, Logic Level, N.Channel SOT−223
NVF3055L108T1G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 3.0 A, 60 V, Logic Level, N−Ch
NVF3055L108T3G ONSEMI

获取价格

 		3.0 A, 60 V, Logic Level, N.Channel SOT−223
NVF4-1 DBLECTRO

获取价格

 		NHG RELAYS
NVF4-1A HUAXINAN

获取价格

 		PC board mounting and direct insert mounting available
NVF4-1C HUAXINAN

获取价格

 		Small size and light weight
NVF4-1U HUAXINAN

获取价格

 		Small size and light weight
NVF4-2 DBLECTRO

获取价格

 		NHG RELAYS

与NVF2955PT1G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证