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NTF2955T3

更新时间: 2024-01-02 15:35:48
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安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 60K
描述
Power MOSFET

NTF2955T3 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-261AA
包装说明:TO-261, CASE 318E-04, 4 PIN针数:4
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.25Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):225 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):2.4 A最大漏极电流 (ID):1.7 A
最大漏源导通电阻:0.185 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-261AAJESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:4工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1.92 W最大脉冲漏极电流 (IDM):10.4 A
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

NTF2955T3 数据手册

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NTF2955  
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (TJ = 25°C unless otherwise noted)  
10  
8
10  
V
DS  
10 V  
V
= −6 V  
GS  
T = −55°C  
T = 125°C  
J
J
V
= −10 V to −7 V  
GS  
T = 25 °C  
J
8
6
4
2
0
T = 25°C  
J
V
V
= −5.5 V  
GS  
6
4
2
0
V
= −5 V  
GS  
= −4.5 V  
GS  
V
GS  
= −3.8 V  
9
0
1
2
3
4
5
6
7
8
10  
2
4
6
8
10  
−V  
DS,  
DRAIN−TO−SOURCE VOLTAGE (VOLTS)  
−V  
GS,  
GATE−TO−SOURCE VOLTAGE (VOLTS)  
Figure 1. On−Region Characteristics  
Figure 2. Transfer Characteristics  
0.4  
0.25  
0.225  
0.2  
V
GS  
= −10 V  
T = 25°C  
J
0.3  
0.2  
0.1  
0
T = 125°C  
J
0.175  
V
V
= −10 V  
= −15 V  
GS  
0.15  
T = 25°C  
J
0.125  
GS  
T = −55°C  
J
0.1  
0.075  
0.05  
0
0
2
4
6
8
10  
2
4
6
8
10  
−I DRAIN CURRENT (AMPS)  
D,  
−I DRAIN CURRENT (AMPS)  
D,  
Figure 3. On−Resistance versus Drain Current  
and Temperature  
Figure 4. On−Resistance versus Drain Current  
and Gate Voltage  
1000  
100  
10  
2
1.8  
1.6  
1.4  
I
V
= −1.5 A  
V
= 0 V  
D
GS  
= −10 V  
GS  
T = 150°C  
J
1.2  
1
T = 125°C  
J
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
−50  
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60  
−V DRAIN−TO−SOURCE VOLTAGE (VOLTS)  
−25  
0
25  
50  
75  
100  
125 150  
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)  
J
DS,  
Figure 6. Drain−to−Source Leakage Current  
versus Voltage  
Figure 5. On−Resistance Variation with  
Temperature  
http://onsemi.com  
3

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