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IRFL9014TRPBF

更新时间： 2024-01-25 07:58:43

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	1037K
描述
Power MOSFET

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IRFL9014TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.11	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.8 A	最大漏极电流 (ID)：	1.8 A
最大漏源导通电阻：	0.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-261AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	功耗环境最大值：	2 W
最大功率耗散 (Abs)：	3.1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFL9014TRPBF 数据手册

IRFL9014, SiHFL9014

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Surface Mount

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

- 60

Available

• Available in Tape and Reel

• Dynamic dV/dt Rating

_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

0.50

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

3.8

5.1

COMPLIANT

• Repetitive Avalanche Rated

• P-Channel

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

SOT-223

The SOT-223 package is designed for surface-mounting

using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.

Its unique package design allows for easy automatic

pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has

the added advantage of improved thermal performace due to

an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation of greater

than 1.25 W is possible in a typical surface mount

application.

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

SOT-223

IRFL9014PbF

SiHFL9014-E3

IRFL9014

IRFL9014TRPbF^a

SiHFL9014T-E3^a

IRFL9014TR^a

SiHFL9014T^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFL9014

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

- 60

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

- 1.8

- 1.1

- 14

Continuous Drain Current

V_GSat - 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.025

0.017

140

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

- 1.8

0.31

E_AR

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91195

S-81412-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFL9014	VISHAY	类似代替	Power MOSFET
IRFL9014PBF	VISHAY	功能相似	Power MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFL9110	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL9110	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-1.1A)
IRFL9110, SiHFL9110	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL9110PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on)
IRFL9110PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL9110TR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL9110TRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL9110TRPBF	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFM	SEME-LAB	获取价格	N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFM010	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 50V V(BR)DSS \| 2.7A I(D) \| SOT-223

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