IRFL9014PBF

更新时间： 2024-11-16 05:39:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
页数	文件大小	规格书
8页	1037K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFL9014PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-261AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	6.91	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	140 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.8 A
最大漏极电流 (ID)：	1.8 A	最大漏源导通电阻：	0.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-261AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFL9014PBF 数据手册

IRFL9014, SiHFL9014

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Surface Mount

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

- 60

Available

• Available in Tape and Reel

• Dynamic dV/dt Rating

_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

0.50

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

3.8

5.1

COMPLIANT

• Repetitive Avalanche Rated

• P-Channel

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

SOT-223

The SOT-223 package is designed for surface-mounting

using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.

Its unique package design allows for easy automatic

pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has

the added advantage of improved thermal performace due to

an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation of greater

than 1.25 W is possible in a typical surface mount

application.

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

SOT-223

IRFL9014PbF

SiHFL9014-E3

IRFL9014

IRFL9014TRPbF^a

SiHFL9014T-E3^a

IRFL9014TR^a

SiHFL9014T^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFL9014

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

- 60

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

- 1.8

- 1.1

- 14

Continuous Drain Current

V_GSat - 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.025

0.017

140

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

- 1.8

0.31

E_AR

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91195

S-81412-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

IRFL9014PBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFL9014	VISHAY	类似代替	Power MOSFET
IRFL9014TRPBF	VISHAY	功能相似	Power MOSFET

与IRFL9014PBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFL9014TR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL9014TR	UMW	获取价格	种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C
IRFL9014TRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL9110	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL9110	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-1.1A)
IRFL9110, SiHFL9110	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL9110PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on)
IRFL9110PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL9110TR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL9110TRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

与IRFL9014PBF相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

13
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

7
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

35
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFL9014PBF

IRFL9014PBF 技术参数

IRFL9014PBF 数据手册

IRFL9014PBF 替代型号

与IRFL9014PBF相关器件

与IRFL9014PBF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFL9014PBF

IRFL9014PBF 技术参数

IRFL9014PBF 数据手册

IRFL9014PBF 替代型号

与IRFL9014PBF相关器件

与IRFL9014PBF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？