Datasheet > IRFL640

IRFL640

更新时间： 2024-11-16 05:39:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
8页	1651K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFL640 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	17 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

IRFL640 数据手册

IRL640, SiHL640

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

200

• Repetitive Avalanche Rated

• Logic-Level Gate Drive

Available

R_DS(on)(Ω)

Q_g(Max.) (nC)

Q_gs(nC)

V_GS= 5.0 V

0.18

RoHS*

9.0

COMPLIANT

• R_DS(on)Specified at V_GS= 4 V and 5 V

• Fast Switching

_gd(nC)

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

TO-220

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provides the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and cost

effectiveness.

The TO-220 package is universally preferred for all

commercial-industrial applications at power dissipation

levels to approximately 50 W. The low thermal resistance

and low package cost of the TO-220 contribute to its wide

acceptance throughout the industry.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRFL640PbF

SiHL640-E3

IRFL640

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHL640

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Gate-Source Voltage

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

Continuous Drain Current

V_GSat 5.0 V

I_D

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

1.0

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

580

E_AR

125

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

5.0

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 3.0 mH, R_G= 25 Ω I_AS= 17 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 17 A, dI/dt ≤ 150 A/μs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91305

S-Pending-Rev. A, 17-Jul-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与IRFL640相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFL640PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL9014	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL9014	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-1.8A)
IRFL9014, SiHFL9014	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL9014PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL9014PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFL9014TR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL9014TR	UMW	获取价格	种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C
IRFL9014TRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL9110	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

与IRFL640相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

13
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

7
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

35
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFL640

IRFL640 技术参数

IRFL640 数据手册

与IRFL640相关器件

与IRFL640相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFL640

IRFL640 技术参数

IRFL640 数据手册

与IRFL640相关器件

与IRFL640相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？