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IRFL4315

更新时间： 2024-11-15 22:51:39
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英飞凌 - INFINEON 开关
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8页 124K
描述
SMPS MOSFET

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IRFL4315 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.17
雪崩能效等级（Eas）：38 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (ID)：2.6 A最大漏源导通电阻：0.185 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-261AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：21 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFL4315 数据手册

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PD - 94445  
IRFL4315  
SMPS MOSFET  
HEXFET® Power MOSFET  
VDSS  
RDS(on) max  
ID  
Applications  
l High frequency DC-DC converters  
150V  
185mΩ@VGS = 10V 2.6A  
Benefits  
l Low Gate to Drain Charge to Reduce  
Switching Losses  
l Fully Characterized Capacitance Including  
Effective COSS to Simplify Design, (See  
App. Note AN1001)  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
S O T -223  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
2.6  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
2.1  
A
21  
PD @TA = 25°C  
Power Dissipation„  
2.8  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.02  
VGS  
dv/dt  
TJ  
Gate-to-Source Voltage  
± 30  
Peak Diode Recovery dv/dt †  
Operating Junction and  
6.3  
V/ns  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Symbol  
RθJA  
Parameter  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)„  
Typ.  
–––  
Max.  
45  
Units  
°C/W  
Notes  through †are on page 8  
www.irf.com  
1
06/14/02  
12345678

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IRFL4315 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFL4315TRPBF INFINEON

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