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BSP372L6327 PDF预览

BSP372L6327

更新时间： 2024-01-01 13:57:49
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 341K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4

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BSP372L6327 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.1雪崩能效等级（Eas）：45 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.7 A
最大漏极电流 (ID)：1.7 A最大漏源导通电阻：0.31 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：6.8 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSP372L6327 数据手册

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BSP372  
®
SIPMOS Small-Signal Transistor  
• N channel  
• Enhancement mode  
• Logic Level  
• Avalanche rated  
• V  
= 0.8 ...2.0 V  
GS(th)  
•
Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Qualified according to AEC Q101  
Pin 1  
G
Pin 2  
D
Pin 3  
Pin 4  
D
S
Type  
VDS  
ID  
RDS(on)  
Ω
BSP372  
100 V  
1.7 A  
0.31  
Type  
Tape and Reel Information Marking  
L6327: 1000 pcs/reel BSP372  
Packaging  
Package  
PG-SOT223  
BSP372  
Non dry  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
1.7  
Unit  
Continuous drain current  
I
A
D
T = 28 ˚C  
A
DC drain current, pulsed  
I
Dpuls  
T = 25 ˚C  
6.8  
A
Avalanche energy, single pulse  
I = 1.7 A, V = 25 V, R = 25  
E
mJ  
AS  
Ω
D
DD  
GS  
L = 23.3 mH, T = 25 ˚C  
45  
14  
20  
j
Gate source voltage  
V
V
P
V
GS  
gs  
Gate-source peak voltage,aperiodic  
Power dissipation  
W
tot  
T = 25 ˚C  
1.8  
A
Rev 2.0  
1
2008-03-31  
1234567...9

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BSP372L6327 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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BSP373L6327HTSA1 INFINEON

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