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IRFL4105TRPBF PDF预览

IRFL4105TRPBF

更新时间： 2024-11-16 14:30:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 486K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 55V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4

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IRFL4105TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.63Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：110 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：3.7 A
最大漏源导通电阻：0.045 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-261AAJESD-30 代码：R-PDSO-G4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFL4105TRPBF 数据手册

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IRFL4105PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Surface Mount  
Advanced Process Technology  
Ultra Low On-Resistance  
Dynamic dv/dt Rating  
Fast Switching  
Fully Avalanche Rated  
Lead-Free  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
55V  
0.045  
3.7A  
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize  
advanced processing techniques to achieve extremely low on-  
resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast  
switching speed and ruggedized device design that HEXFET  
Power MOSFETs are well known for, provides the designer with  
an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety  
of applications.  
SOT-223  
The SOT-223 package is designed for surface-mount using vapor  
phase, infra red, or wave soldering techniques. Its unique  
package design allows for easy automatic pick-and-place as with  
other SOT or SOIC packages but has the added advantage of  
improved thermal performance due to an enlarged tab for heat  
sinking. Power dissipation of 1.0W is possible in a typical surface  
mount application.  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Standard Pack  
Quantity  
2500  
Base Part Number  
Package Type  
Orderable Part Number  
Form  
Tape and Reel  
IRFL4105PbF  
SOT-223  
IRFL4105PbF  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TA = 25°C  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
5.2  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V   
Continuous Drain Current, VGS @ 10V   
Pulsed Drain Current   
3.7  
3.0  
30  
A
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 25°C  
Maximum Power Dissipation (PCB Mount)   
2.1  
1.0  
8.3  
W
Maximum Power Dissipation (PCB Mount)  
Linear Derating Factor (PCB Mount)   
mW/°C  
V
mJ  
VGS  
EAS  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)   
± 20  
110  
IAR  
Avalanche Current   
3.7  
0.10  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy   
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction and  
mJ  
5.0  
V/ns  
-55 to + 150  
°C  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Thermal Resistance  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
Max.  
Units  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)   
90  
120  
RJA  
RJA  
°C/W  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)   
50  
60  
1
2016-5-27  
1234567...10

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IRFL4105TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFL4105TR INFINEON

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 暂无描述
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类似代替

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IRFL4310TRPBF INFINEON

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IRFL4315 INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRFL4315TR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 150V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRFL4315TRPBF INFINEON

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