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IRFL4105TR

更新时间： 2024-09-28 13:08:47
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英飞凌 - INFINEON /
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描述
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IRFL4105TR 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.74Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：3.7 A
最大漏源导通电阻：0.045 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-261AAJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFL4105TR 数据手册

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PD- 91381A  
IRFL4105  
HEXFET® Power MOSFET  
l Surface Mount  
D
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dynamic dv/dt Rating  
l Fast Switching  
VDSS = 55V  
RDS(on) = 0.045Ω  
ID = 3.7A  
G
l Fully Avalanche Rated  
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET Power MOSFETs are well  
knownfor, providesthedesignerwithanextremelyefficient  
and reliable device for use in a wide variety of applications.  
The SOT-223 package is designed for surface-mount  
using vapor phase, infra red, or wave soldering techniques.  
Its unique package design allows for easy automatic pick-  
and-place as with other SOT or SOIC packages but has the  
added advantage of improved thermal performance due to  
an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation of 1.0W  
is possible in a typical surface mount application.  
SO T -223  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
5.2  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V**  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V*  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V*  
Pulsed Drain Current   
3.7  
A
3.0  
30  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 25°C  
Power Dissipation (PCB Mount)**  
Power Dissipation (PCB Mount)*  
Linear Derating Factor (PCB Mount)*  
Gate-to-Source Voltage  
2.1  
W
W
1.0  
8.3  
mW/°C  
V
VGS  
± 20  
110  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
A
IAR  
3.7  
EAR  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Junction and Storage Temperature Range  
0.10  
5.0  
mJ  
V/ns  
°C  
dv/dt  
TJ, TSTG  
-55 to + 150  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
Max.  
Units  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Amb. (PCB Mount, steady state)*  
90  
120  
°C/W  
Junction-to-Amb. (PCB Mount, steady state)**  
50  
60  
* When mounted on FR-4 board using minimum recommended footprint.  
** When mounted on 1 inch square copper board, for comparison with other SMD devices.  
www.irf.com  
1
1/14/99  
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IRFL4105TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFL4105TRPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 55V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFL4105PBF INFINEON

类似代替

 HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFL4105 INFINEON

类似代替

 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.045ohm, Id=3.7A)

与IRFL4105TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFL4105TRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 55V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFL4310 INFINEON

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 		Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=1.6A)
IRFL4310PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on)
IRFL4310TRPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
IRFL4315 INFINEON

获取价格

 		SMPS MOSFET
IRFL4315PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRFL4315TR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 150V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRFL4315TRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 150V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRFL5505 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | SOT-223
IRFL640 VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET

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