5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFL4105PBF
IRFL4105PBF PDF预览

IRFL4105PBF

更新时间： 2024-09-28 04:23:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
9页 159K
描述
HEXFET㈢ Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFL4105PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.17
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：3.7 A
最大漏源导通电阻：0.045 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-261AAJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFL4105PBF 数据手册

 浏览型号IRFL4105PBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFL4105PBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFL4105PBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFL4105PBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFL4105PBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFL4105PBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD-95319  
IRFL4105PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
ꢀ Surface Mount  
D
ꢀ Advanced Process Technology  
ꢀ Ultra Low On-Resistance  
ꢀ Dynamic dv/dt Rating  
ꢀ Fast Switching  
ꢀ Fully Avalanche Rated  
ꢀ Lead-Free  
VDSS = 55V  
RDS(on) = 0.045Ω  
G
ID = 3.7A  
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET Power MOSFETs are well  
knownfor, providesthedesignerwithanextremelyefficient  
and reliable device for use in a wide variety of applications.  
The SOT-223 package is designed for surface-mount  
using vapor phase, infra red, or wave soldering techniques.  
Its unique package design allows for easy automatic pick-  
and-place as with other SOT or SOIC packages but has the  
added advantage of improved thermal performance due to  
an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation of 1.0W  
is possible in a typical surface mount application.  
SOT-223  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
5.2  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V**  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V*  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V*  
Pulsed Drain Current ꢁ  
3.7  
A
3.0  
30  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 25°C  
Power Dissipation (PCB Mount)**  
Power Dissipation (PCB Mount)*  
Linear Derating Factor (PCB Mount)*  
Gate-to-Source Voltage  
2.1  
W
W
1.0  
8.3  
mW/°C  
V
VGS  
± 20  
110  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energyꢂ  
Avalanche Currentꢁ  
mJ  
A
IAR  
3.7  
EAR  
Repetitive Avalanche Energyꢁ  
Peak Diode Recovery dv/dt ꢃ  
Junction and Storage Temperature Range  
0.10  
5.0  
mJ  
V/ns  
°C  
dv/dt  
TJ, TSTG  
-55 to + 150  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Amb. (PCB Mount, steady state)*  
Typ.  
90  
Max.  
120  
Units  
RθJA  
RθJA  
°C/W  
Junction-to-Amb. (PCB Mount, steady state)**  
50  
60  
* When mounted on FR-4 board using minimum recommended footprint.  
** When mounted on 1 inch square copper board, for comparison with other SMD devices.  
www.irf.com  
1
05/25/04  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

IRFL4105PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFL4105TRPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 55V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFL4105TR INFINEON

类似代替

 暂无描述
PHT8N06LT,135 NXP

功能相似

 N-channel TrenchMOS logic level FET SC-73 4-Pin

与IRFL4105PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFL4105TR INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IRFL4105TRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 55V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFL4310 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=1.6A)
IRFL4310PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on)
IRFL4310TRPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
IRFL4315 INFINEON

获取价格

 		SMPS MOSFET
IRFL4315PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRFL4315TR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 150V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRFL4315TRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 150V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRFL5505 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | SOT-223

与IRFL4105PBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证