IRFL214

更新时间： 2024-11-16 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	878K
描述
Power MOSFET

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IRFL214 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-261AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.11
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.79 A	最大漏极电流 (ID)：	0.79 A
最大漏源导通电阻：	2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-261AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3.1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFL214 数据手册

IRFL214, SiHFL214

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Surface Mount

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

250

Available

• Available in Tape and Reel

• Dynamic dV/dt Rating

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

2.0

RoHS*

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

8.2

1.8

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast Switching

_gs(nC)

_gd(nC)

4.5

• Ease of Paralleling

Configuration

Single

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

DESCRIPTION

SOT-223

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The SOT-223 package is designed for surface-mounting

using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.

Its unique package design allows for easy automatic

pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has

the added advantage of improved thermal performace due to

an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation of greater

than 1.25 W is possible in a typical surface mount

application.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

SOT-223

IRFL214PbF

SiHFL214-E3

IRFL214

IRFL214TRPbF^a

SiHFL214T-E3^a

IRFL214TR^a

SiHFL214T^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFL214

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

250

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

0.79

0.50

6.3

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.025

0.017

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

E_AS

I_AR

0.79

0.31

3.1

E_AR

_C= 25 °C

P_D

T_A= 25 °C

2.0

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91194

S-81393-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFL214, SiHFL214	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL214PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL214PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFL214TR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL214TRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL30N20D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-262
IRFL30N20DPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFL31N20D	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFL31N20DPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFL4105	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.045ohm, Id=3.7A)

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