5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.25 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 420 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 30 A | 最大漏源导通电阻： | 0.082 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFL31N20D | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFL31N20DPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFL4105 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.045ohm, Id=3.7A) |
|
| IRFL4105PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRFL4105TR | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRFL4105TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 55V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFL4310 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=1.6A) |
|
| IRFL4310PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) |
|
| IRFL4310TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
|
| IRFL4315 | INFINEON |
获取价格 |
SMPS MOSFET |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
