是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | End Of Life | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 6.36 |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 12 V |
最大漏极电流 (ID): | 10 A | 最大漏源导通电阻: | 0.015 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | MS-012AA |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRF7910PBF | INFINEON |
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