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IRF7910TRPBF-1

更新时间： 2024-09-08 20:04:03

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英飞凌 - INFINEON		晶体管
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8页	195K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor

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IRF7910TRPBF-1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.3	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MS-012AA
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
最高工作温度：	150 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF7910TRPBF-1 数据手册

IRF7910PbF-1

HEXFET^®Power MOSFET

V_DS

R_{DS(on) max}

(@V_GS= 4.5V)

Q_{g (typical)}

I_D

(@T_A= 25°C)

SO-8

Top View

Applications

l High Frequency 3.3V and 5V input Point of-Load Synchronous Buck Converters for Netcom and

Computing Applications

l Power Management for Netcom, Computing and Portable Applications

Features

Benefits

Industry-standard pinout SO-8 Package

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

RoHS Compliant, Halogen-Free

MSL1, Industrial qualification

Multi-Vendor Compatibility

Easier Manufacturing

Environmentally Friendlier

Increased Reliability

⇒

Standard Pack

Form

Base Part Number

Package Type

Orderable Part Number

Quantity

Tube/Bulk

Tape and Reel

4000

IRF7910PbF-1

IRF7910TRPbF-1

IRF7910PbF-1

SO-8

Absolute Maximum Ratings

Symbol

V_DS

Parameter

Drain-Source Voltage

Max.

Units

V_GS

Gate-to-Source Voltage

± 12

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 4.5V

Pulsed Drain Current

7.9

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_A= 70°C

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

2.0

1.3

mW/°C

°C

T_J, T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 150

Thermal Resistance

Symbol

Parameter

Typ.

–––

Max.

62.5

Units

R_θJL

Junction-to-Drain Lead

°C/W

R_θJA

Junction-to-Ambient

Notes through are on page 8

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November 22, 2013

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