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IRF7389

更新时间： 2024-09-15 22:51:35
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英飞凌 - INFINEON /
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描述
HEXFET Power MOSFET

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IRF7389 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.13
其他特性：HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：82 mJ
配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：7.3 A最大漏源导通电阻：0.029 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF7389 数据手册

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PD - 91645A  
IRF7389  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Complimentary Half Bridge  
l Surface Mount  
N-CHANNEL MOSFET  
N-Ch P-Ch  
1
8
D
D
S1  
G1  
2
7
VDSS 30V  
-30V  
3
4
6
5
S2  
G2  
D
D
l Fully Avalanche Rated  
P-CHANNEL MOSFET  
RDS(on) 0.029Ω 0.058Ω  
Top View  
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET Power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient and reliable device for use  
in a wide variety of applications.  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics and  
multiple-die capability making it ideal in a variety of  
power applications. With these improvements,  
multiple devices can be used in an application with  
dramatically reduced board space. The package is  
designed for vapor phase, infra red, or wave soldering  
techniques.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings ( TA = 25°C Unless Otherwise Noted)  
Symbol  
Maximum  
Units  
N-Channel  
P-Channel  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
30  
-30  
± 20  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
7.3  
5.9  
30  
-5.3  
-4.2  
-30  
Continuous Drain Currentꢀ  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
2.5  
-2.5  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
2.5  
1.6  
Maximum Power Dissipation ꢀ  
W
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche Current  
EAS  
IAR  
82  
140  
-2.8  
mJ  
A
4.0  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ‚  
Junction and Storage Temperature Range  
EAR  
0.20  
mJ  
dv/dt  
TJ,TSTG  
3.8  
-2.2  
V/ ns  
-55 to + 150 °C  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Units  
Maximum Junction-to-Ambient ꢀ  
RθJA  
50  
°C/W  
www.irf.com  
1
02/25/04  
1234567...10

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IRF7389 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7389TRPBF INFINEON

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IRF7319TRPBF INFINEON

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IRF7389PBF INFINEON

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7389PBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRF7389PBF-1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 30V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon,
IRF7389TR INFINEON

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 		Generation v technology
IRF7389TR UMW

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 		种类:N+P-Channel;漏源电压（Vdss）:N：30V ;P：-30V;持续漏极电
IRF7389TRPBF INFINEON

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 		Generation V Technology
IRF740 VISHAY

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 		Power MOSFET
IRF740 ISC

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 		N-Channel MOSFET Transistor
IRF740 SUNTAC

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 		POWER MOSFET
IRF740 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 400V - 0.48 ohm - 10 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
IRF740 INTERSIL

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 		10A, 400V, 0.550 Ohm, N-Channel Power MOSFET

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