IPB180N06S4-H1

更新时间： 2024-02-12 04:39:35

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描述
OptiMOS-T2 Power-Transistor

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IPB180N06S4-H1 数据手册

IPB180N06S4-H1

OptiMOS^®-T2 Power-Transistor

Product Summary

V_DS

1.7

180

R _DS(on),max

I _D

mΩ

Features

PG-TO263-7-3

• N-channel - Enhancement mode

• AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green Product (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

• Ultra low R_DSon

• Ultra high I_D

Type

Package

Marking

IPB180N06S4-H1

PG-TO263-7-3

4N06H1

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=25°C, V_GS=10V

180

T _C=100°C, V_GS=10V²⁾

180

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E_AS

I _AS

T _C=25°C

720

700

Avalanche energy, single pulse²⁾

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage

I _D=90A

180

V_GS

P_tot

±20

T _C=25°C

Power dissipation

250

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 1.0

page 1

2009-03-25

12 3 4 5 6 7...9

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IPB180N06S4-H1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPB017N06N3G	INFINEON	完全替代	OptiMOS?3 Power-Transistor
IPB016N06L3G	INFINEON	功能相似	OptiMOSâ¢3 Power-Transistor

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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