IPB180N06S4-H1

更新时间： 2024-11-24 05:39:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
9页	177K
描述
OptiMOS-T2 Power-Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPB180N06S4-H1 数据手册

IPB180N06S4-H1

OptiMOS^®-T2 Power-Transistor

Product Summary

V_DS

1.7

180

R _DS(on),max

I _D

mΩ

Features

PG-TO263-7-3

• N-channel - Enhancement mode

• AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green Product (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

• Ultra low R_DSon

• Ultra high I_D

Type

Package

Marking

IPB180N06S4-H1

PG-TO263-7-3

4N06H1

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=25°C, V_GS=10V

180

T _C=100°C, V_GS=10V²⁾

180

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E_AS

I _AS

T _C=25°C

720

700

Avalanche energy, single pulse²⁾

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage

I _D=90A

180

V_GS

P_tot

±20

T _C=25°C

Power dissipation

250

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 1.0

page 1

2009-03-25

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

IPB180N06S4-H1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPB017N06N3G	INFINEON	完全替代	OptiMOS?3 Power-Transistor
IPB016N06L3G	INFINEON	功能相似	OptiMOSâ¢3 Power-Transistor

与IPB180N06S4-H1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPB180N06S4H1ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 60V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB180N06S4H1ATMA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 60V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB180N08S4-02	INFINEON	获取价格	? 仿真/ SPICE-型号
IPB180N08S402ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 80V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB180N10S4-02	INFINEON	获取价格	? 仿真/ SPICE-型号
IPB180N10S402ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPB180N10S4-03	INFINEON	获取价格	本培训解释了TOLG的优势以及该封装的目标工业应用和汽车应用；并列出了当前可用的产品系列，
IPB180N10S403ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPB180P04P4-03	INFINEON	获取价格	OptiMOS-P2 Power-Transistor
IPB180P04P403ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0028ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M