Datasheet > IPB180N08S4-02

IPB180N08S4-02

更新时间： 2024-11-20 14:56:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
9页	925K
描述
? 仿真/ SPICE-型号

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPB180N08S4-02 数据手册

IPB180N08S4-02

OptiMOS^™-T2 Power-Transistor

Product Summary

V_DS

2.2

180

R_DS(on),max

I_D

Features

PG-TO263-7-3

• N-channel - Enhancement mode

• AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• RoHS compliant

• 100% Avalanche tested

• Ultra low R_DSon

• Ultra high I_D

Type

Package

Marking

IPB180N08S4-02

PG-TO263-7-3 4N0802

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=25°C, V _GS=10V

180

T _C=100°C, V _GS=10V²⁾

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25°C

720

640

Avalanche energy, single pulse²⁾

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage

I _D=90A

I _AS

175

V _GS

±20

P _tot

T _C=25°C

Power dissipation

277

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

-55 ... +175

Rev. 1.1

page 1

2022-08-24

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与IPB180N08S4-02相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPB180N08S402ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 80V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB180N10S4-02	INFINEON	获取价格	? 仿真/ SPICE-型号
IPB180N10S402ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPB180N10S4-03	INFINEON	获取价格	本培训解释了TOLG的优势以及该封装的目标工业应用和汽车应用；并列出了当前可用的产品系列，
IPB180N10S403ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPB180P04P4-03	INFINEON	获取价格	OptiMOS-P2 Power-Transistor
IPB180P04P403ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0028ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M
IPB180P04P403ATMA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IPB180P04P4L-02	INFINEON	获取价格	OptiMOS-P2 Power-Transistor
IPB19DP10NM	INFINEON	获取价格	D2PAK 封装型 100 V OptiMOS? P 沟道 MOSFET 是面向电池管理、