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IPB180N08S4-02

更新时间： 2024-09-14 14:56:23

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英飞凌 - INFINEON		/
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IPB180N08S4-02 数据手册

IPB180N08S4-02

OptiMOS^™-T2 Power-Transistor

Product Summary

V_DS

2.2

180

R_DS(on),max

I_D

Features

PG-TO263-7-3

• N-channel - Enhancement mode

• AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• RoHS compliant

• 100% Avalanche tested

• Ultra low R_DSon

• Ultra high I_D

Type

Package

Marking

IPB180N08S4-02

PG-TO263-7-3 4N0802

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=25°C, V _GS=10V

180

T _C=100°C, V _GS=10V²⁾

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25°C

720

640

Avalanche energy, single pulse²⁾

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage

I _D=90A

I _AS

175

V _GS

±20

P _tot

T _C=25°C

Power dissipation

277

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

-55 ... +175

Rev. 1.1

page 1

2022-08-24

12 3 4 5 6 7...9

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