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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 14 weeks |
| 风险等级： | 1.64 | 雪崩能效等级（Eas）： | 1110 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 180 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0025 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 720 A | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPB025N10N3GATMA1 | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB180N10S4-03 | INFINEON |
获取价格 |
本培训解释了TOLG的优势以及该封装的目标工业应用和汽车应用；并列出了当前可用的产品系列， |
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| IPB180N10S403ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| IPB180P04P4-03 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-P2 Power-Transistor |
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| IPB180P04P403ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0028ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M |
|
| IPB180P04P403ATMA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IPB180P04P4L-02 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-P2 Power-Transistor |
|
| IPB19DP10NM | INFINEON |
获取价格 |
D2PAK 封装型 100 V OptiMOS? P 沟道 MOSFET 是面向电池管理、 |
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| IPB200N15N3 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent |
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| IPB200N15N3 G | INFINEON |
获取价格 |
与次优竞品相比，150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%，品质因数 (F |
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| IPB200N15N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent |
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