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IPB180N10S403ATMA1

更新时间: 2024-11-05 19:52:51
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英飞凌 - INFINEON 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 259K
描述
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, GREEN, PLASTIC PACKAGE-7/6

IPB180N10S403ATMA1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:14 weeks
风险等级:5.7雪崩能效等级(Eas):530 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (Abs) (ID):180 A
最大漏极电流 (ID):180 A最大漏源导通电阻:0.0033 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-263
JESD-30 代码:R-PSSO-G6JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:6工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):250 W最大脉冲漏极电流 (IDM):720 A
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IPB180N10S403ATMA1 数据手册

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IPB180N10S4-03  
OptiMOSTM-T2 Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
RDS(on)  
ID  
100  
3.3  
V
mW  
A
180  
Features  
• N-channel - Normal Level - Enhancement mode  
PG-TO263-7-3  
• AEC qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green product (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
4N1003  
IPB180N10S4-03  
PG-TO263-7-3  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
T C=25°C, V GS=10V1)  
T C=100°C, V GS=10V2)  
I D  
Continuous drain current  
180  
134  
A
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25°C  
720  
530  
Avalanche energy, single pulse2)  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
I D=90A  
mJ  
A
I AS  
-
180  
V GS  
-
±20  
V
P tot  
T C=25°C  
Power dissipation  
250  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
-
-55 ... +175  
Rev. 1.0  
page 1  
2014-06-30  

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