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IPB180N08S402ATMA1

更新时间： 2024-09-13 14:51:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 203K
描述
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 80V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263,

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IPB180N08S402ATMA1 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：14 weeks风险等级：1.69
Is Samacsys：N其他特性：ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：640 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：80 V
最大漏极电流 (ID)：180 A最大漏源导通电阻：0.0022 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263
JESD-30 代码：R-PSSO-G6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：720 A参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPB180N08S402ATMA1 数据手册

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IPB180N08S4-02  
OptiMOS™-T2 Power-Transistor  
Product Summary  
V DS  
80  
2.2  
180  
V
R DS(on),max  
I D  
mW  
A
Features  
• N-channel - Enhancement mode  
PG-TO263-7-3  
• AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green Product (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
• Ultra low RDSon  
• Ultra high ID  
Type  
Package  
Marking  
IPB180N08S4-02  
PG-TO263-7-3  
4N0802  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25°C, V GS=10V  
180  
A
T C=100°C, V GS=10V2)  
180  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25°C  
720  
640  
Avalanche energy, single pulse2)  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
I D=90A  
mJ  
A
I AS  
-
175  
V GS  
-
±20  
V
P tot  
T C=25°C  
Power dissipation  
277  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
-
-55 ... +175  
Rev. 1.0  
page 1  
2014-06-20  
1234567...9

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